黄圃PVC边角料回收报价

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　分子印迹纳米材料纳米材料是指三维尺度中有一维以上处于纳米量级(1～100nm),即由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。纳米材料与传统材料相比有较低的熔点、较小的体积、巨大的比表面积、强化学活性和催化活性,此外其还有的比热、光学、电学、磁学、力学等一系列优良的性能。 分子印迹技术利用纳米材料巨大的比表面积制备印迹聚合物,可以充分地暴露印迹识别位点,大大减少吸附过程当中的传质阻力,增强吸附过程的动力学特征,进而提高吸附量。纳米分子印迹聚合物的形式主要为纳米粒子、纳米管和纳米膜。张忠平等以硅为基质通过溶胶凝胶反应分别制得了对TNT有特异性识别的纳米粒子。其制得的纳米粒印迹材料的印迹位点密度大约为普通印迹材料的5倍。其动力学研究表面,纳米印迹粒子达到平衡所用的时间也只为普通印迹材料的1/3。

　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD

　　黄圃PVC边角料回收报价

　　Poly(styrene-b-cyclohexyl methacrylate)聚苯乙烯-b-甲基丙烯酸环己酯

　　PS-b-PEMA

　　Poly(styrene-b-ethyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸乙酯

　　PS-b-PLA

　　Poly(styrene-b-lactide)

　　结果如图10所示。在连续5次注射后，在组中，给10mg/kg(以喜树碱含量计)的p(cpt-maa)前纳米凝胶显示出高的抑制肿瘤生长率。注射21天后，肿瘤体积(187.3±92.3mm3)显著低于pbs处理的小鼠(1354.4±283.3mm3，p<0.01)，空白pmaa纳米凝胶(1251.1±301.2mm3，p<0.01)和非还原敏感的p(cpt-maa)纳米凝胶(955.5±169.1mm3，p<0.01)，略低于p(cpt-maa)前纳米凝胶5mg/kgcpt处理的小鼠(418.3±96.2mm3，p<0.05)。给予5mg/kg游离喜树碱的组在初13天也获得良好的抗肿瘤效果，但它引起较严重的毒副作用:游离cpt组中的小鼠显示出度疼痛的状况，并且体重显着降低22％；更糟糕的是，该组中的小鼠在13天后迅速死亡。相反，用p(cpt-maa)前纳米凝胶处理的小鼠的体重和疼痛状态没有显著变化，即使给予10mg/kg的治疗剂量。