开平PE薄膜回收行情
1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
聚甲基丙烯酸在纺织工业中用作纤维纺织过程中的保护胶著剂;用作低压锅炉阻垢剂,其阻垢性能与聚丙烯酸相似,耐温性能优于聚丙烯酸。由于其原料价格较贵,故其产品价格比聚丙烯酸高,除非在要求的情况下,一般较少采用聚甲基丙烯酸作循环冷却水的阻垢剂。其应用举例如下:一种超高温循环水阻垢剂及其制备方法,按照重量份数配比称取多氨多醚基亚甲基膦酸、环己醇六磷酸酯、氯乙酸、双酚A溶液、蒸馏水、PBTCA、抗氧剂、BTA、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸和羟胺类阻聚剂,用于钢厂中的高炉、联铸、感应圈等高温循环水设备;高温不易分解,稳定性强,在100℃范围内随温度升高阻垢能力升高,阻垢效果好;降低了循环水的排污量,大大节省了循环水用量,阻垢率达98-100%。
从而增加包封物在血液循环系统中的存在时间,保持有效的血液浓度,减少物次数。胶束的内核是疏水物的结合部位,疏水段的性质直接影响着胶束的稳定性、载量及物释放特性等。当亲水段一定时,增长疏水链则疏水性增强,形成胶束的CMC值明显降低。聚合物胶束型给系统中,决定载量的主要因素是疏水段与物分子之间的兼容性。该兼
容性可用Flory-Huggins作用参数(χsp)来衡量: χsp=(δs-δp)Vs /RT其中δs、δp分别是溶质和疏水性聚合物的Scat-chard-Hildebrand溶度参数,Vs 是溶质的摩尔体积, R是气体常数, T是开尔文温度。当δs =δp 时,兼容性达到大, 聚合物胶束的载量也达到大。此外,疏水段和物分子之间的化合作用,以及疏水链的长短也会影响物的载量。由于物分子性质各异,没有哪一种疏水段能大限度地包封类型的物。因此,需要从物分子的性质出发,选择合适的聚合物载体来达到理想的输送。疏水段还影响着胶束释放物的特性。例如,PEG-2000与不同链长的脂肪酸形成的复合物FA-PEG-FA,在水中自发形成稳定的胶束,疏水段(脂肪酸)由肉豆蔻酸(C14)变化为硬脂酸(C18 ) ,再到二十四烷酸(C24 )时,所包封物的释放速率明显减小,并且疏水段为C14酸的胶束释放物时存在明显的突释现象。目前研究较多的疏水段包括可生物降解的聚酯和氨基酸等,如聚丙交酯(PLLA)、聚乙交酯(PGA)、聚己内酯(PCL)、聚乳酸乙醇酸酯(PLGA)、聚天冬氨酸(PAsp )、聚卞基天冬氨酸( PBLA)和聚谷氨酸(PGlu)等。脂肪族聚酯易于水解,产物、具有良好的生物兼容性;氨基酸作为核片段,易于化学修饰并且可利用物理协同作用和化学方法包封物两者在抗肿瘤物的输送系统中有广泛应用。近些年来,具有敏感性如温敏性、pH敏感性的两亲聚合物受到人们的很大关注。温敏性聚合物在外界温度改变时会发生亲水性-疏水性的转化,此转化的温度称为低临界溶解温度(LCST)。例如,具有温敏性的N - 异丙基丙烯酰胺(NIPAAm)的LCST是32℃,外界温度高于32℃时该聚合物具有疏水性,温度低于32℃时则呈现亲水性。以N -异丙基丙稀酰胺为外壳的胶束,在靶部位可通过改变温度使其由亲水性转为疏水性,使物迅速释放出来。
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HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH
Amino-Hydroxy terminated polylactide
NH2-PCL-OH
Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)
实施例12还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-7的制备将cpt-ss-m(50mg),甲基丙烯酸(450mg),甲叉双丙烯酰胺(125mg)和偶氮二异丁腈(18.8mg),加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中,接着加入40ml无水乙腈,超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气,接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后,收集反应混合物,以1×104转/分钟的转速离心10分钟,得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着,加入20ml乙腈,超声分散均匀,离心,重复此操作三次,获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为95.4±0.9%,马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为765±3nm,电位为-20.0±1.3mv。