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　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　2 吸收光谱配制PEI-Cr3+混合溶液 , 移取5 m L 20 mmol/L的Cr3+溶液加入一系列容量瓶中 (水合Cr3+离子呈褐) , 分别移取不同体积的20 mmol/L的PEI溶液加入上述容量瓶中, 产生粉红的水不溶物, 用蒸馏水稀释至标线。将混合物离心, 在490~660 nm范围内测定上清液的吸收曲线 (即为剩余的水溶液中Cre离子的吸收曲线) 。3离 子 印 迹 聚 合 物 IIP-PEI/Si O2的合成及表征复合颗粒的合成过程参见文献。称取5 g吸附Cr3+之后的PEI/SiO2及10 m L的环氧氯丙烷, 加入到无水乙醇中, 室温 (20℃) 下搅拌反应30 min。随后加入10 m L 0.01 mol/L的NaOH, 继续在室温反应。, 用0.1 mol/L的盐酸洗涤颗粒, 去除模板离子, 得到Cr3+印迹聚合物 (IIP-PEI/SiO2) 了。测定离子印迹后颗粒的红外光谱, 确定其化学结构。

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　　PEI 在SiO2上的接枝量:3.18 g/100 g;温度:20 ℃;pH=7PEI 在 SiO2上的接枝量:3.81 g/100 g;温度:20 ℃;时间:30 min;p H:7 3.4.3 选择吸附 IIP-PEI/Si O2对Cr3+/Zn2+和Cr3+/Pb2+在混合溶液中的竞争吸附, 相关分布系数kd数据、选择系数k和相对选择系数k' 如表1所示。从表1中可以看出: (1) 相对于Zn2+和Pb2+, PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数较低，分别是0.456和0.354; (2) 相对于Zn2+和Pb2+, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数较高, 分别为11.23和21.00; (3) IIP-PEI/SiO2对Cr3+/Zn2+和Cr3+/Pb2+的相对选择系数分别为24.63和59.32。上述研究结果表明I-P-PEI/Si O2对Cr3+的吸附能力较强, 远远超过对Zn2+和Pb2+的吸附。这可能是因为对Cr3+的孔穴印迹与Zn2+和Pb2+的尺寸、形状及空间结构不符。Pb2+ (120 pm) 及Zn2+ (74 pm) 比Cr3+ (64 pm) 大, 所以无法进入Cr3+的印迹孔穴中。另外, PEI与Cr3+的配体为6, 而与Pb2+和Zn2+的配体为4。所以因为与结合点不相配 , Pb2+或Zn2+与IIP-PEI/Si O2结合。

　　荧光光谱法对于具有荧光性质的模板分子,荧光光谱法是选择功能单体的比较好的方法。荧光供体分子(模板分子)与荧光猝灭剂分子(功能单体)之间借助分子间力,彼此结合形成具有一定结构的不发荧光的基态复合物,而导致荧光强度减弱。即静态荧光猝灭现象。 (4)计算机模拟计算 随着计算机和量子化理论的发展,计算机模拟技术已经应用到分子印迹体系中。这种方法可以大大减少摸索实验的次数,也可以减少不必要的品浪费。计算机模拟计算常用半经验计算方法,大致过程为,步,用软件优化各种可能的模板分子、功能单体及其复合物的构象,选出小能量构象。第2步,功能单体与模板分子的相互作用能利用下式计算:△E=E(模板分子和功能单体的复合物)-E(模板分子)-E (功能单体)。△E越大,说明模板分子与功能单体的作用越易形成氢键,且形成的氢键越牢固。