高明TPR塑料回收电话

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　为满足临床应用的要求，技术人员已经在结构修饰、制备纳米制剂、合成前等多个方面做出了努力，以期改善cpt的性质。对于结构修饰，伊立替康和拓扑替康可能是成功的cpt衍生物，目前仍然是临床上使用的重要抗癌物，但在体内缺乏靶向性，存在循环不良和副作用严重的缺陷。此外，也开发了许多微米级或纳米级cpt制剂，如微球纳米粒子，脂质体，纳米胶束等。纳米级cpt可以通过高渗透长保留(epr)效应被动地靶向肿瘤组织，但是由于简单物理封装的不稳定性，cpt容易从体内循环的载体中泄漏，导致严重的副作用和较低的治疗效果。此外，由于水溶性差，cpt在纳米制剂中的包封率低，这也严重限制了其应用。为了解决这个问题，技术人员采用了前策略，通过前体物修饰，可以大地改善cpt的物理化学性质。此后，cpt不仅可以有效地传递到靶向组织而不会在其他组织中渗漏，而且还可以在某些微环境中释放母体cpt以起到抗肿瘤活性的作用。此外，纳米级前可以通过epr效应实现被动靶向肿瘤组织。

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　　聚丁二烯-b-聚丙烯酸丁酯PBd-b-PMMA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-methylmethacrylate)

　　聚丁二烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PBd-b-PCL

　　Poly(butadiene(1,4addition)-b-ε-caprolactone)

　　聚丁二烯-b-聚已内酯

　　PIB-b-PDMSPoly(isobutylene-b-dimethylsiloxane)

　　聚异丁烯-b-聚二甲基硅氧烷

　　PIB-b-PCL

　　Poly(isobutylene-b-ε-caprolactone)

　　聚异丁烯-b-聚已内酯

　　PIB-b-P4VP

　　Poly(isobutylene-b-4-vinyl pyridine)