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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　本发明中，喜树碱前单体是物成分，具有还原响应性释放喜树碱单体的作用，在肿瘤细胞内高含量谷胱甘肽的作用下释放喜树碱；甲基丙烯酸是凝胶的基本骨架，具有ph响应性能，在肿瘤组织低的ph值条件下，凝胶收缩，可加速喜树碱的释放；交联剂的作用是将喜树碱前单体和甲基丙烯酸连接起来；引发剂是促进聚合反应进行的主要物质。本发明喜树碱前凝胶的制备路径、体内作用机制及ph/还原作用机制如图11所示。下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

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　　Gong等[8]将乙烯基三乙氧基硅烷 (VTES) 嫁接到硅胶表面, 以青蒿素为模板, 丙烯酰胺 (AM) 和MAA为功能单体, EGDMA为交联剂, 通过2, 2-偶氮-2-异丁腈 (AIBN) 热引发聚合制备了青蒿素SSMIP。该SSMIP吸附在约10h达到平衡, 大吸附容量为37.13 mg/g, 对结构类似物蒿甲醚、蒿乙醚的分离系数分别为2.88和3.38。笔者课题组以对叔辛基苯酚 (PTOP) 为模板、MAA为单体, 活化硅胶为载体, 制备了PTOP-SSMIP[9]。该SSMIP对PTOP具有较大的吸附容量和良好的选择性, 其大吸附量约为86.12mg/g。同时在通过水解TEOS制得的二氧化硅微粒表面, 以乙烯基三甲氧基硅烷 (VTTS) 为接枝剂, 壬基酚 (NP) 为模板, MAA为功能单体, 制备了NP-SSMIP (如图1所示) [10]。该SSMIP对NP具有良好的结合亲和性, 大结合量可达184.6mg/g, 明显高于其结构类似物对叔辛基苯酚和双酚A, 表现出较高的选择性识别能力, 且与在市售硅胶 (70~230目) 表面制备的壬基酚和双酚A印迹聚合物的大吸附量 (壬基酚3.8mg/g, 双酚A 60.03mg/g、37.13mg/g) 相比均有明显的提高。这主要得益于TEOS水解制备的二氧化硅微粒粒径小且分散性好, 有效增大了SSMIP的比表面积, 从而使所制备的印迹微球对目标物有较高的吸附容量。

　　需要说明的是，本说明书中描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例以及不同实施例的特征进行结合和组合。近年来,分子结构清晰、可控的含有机硅链段两亲性共聚物的合成与胶束化备受关注。然而,大多数研究于含有机硅链段的两亲性嵌段共聚物,对具有亲水性主链、有机硅侧链的两亲性接枝共聚物缺乏研究。这一结构的共聚物可在溶液中形成可逆凝胶,并且可能作为一种理想的增长。