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　　1942年，英国Eisler发明印刷电路板 [39]，重铬酸盐感光材料作为光敏抗蚀剂用于制造印刷线路板。重铬酸在紫外光作用下还原成三价铬离子，三价铬离子可和水溶性聚合物中的羰基、胺基、羟基等作用形成不溶的配位络合物。

　　1943年，美国杜邦公司提交了世界第一份有关光引发剂的发明专利，尽管这种二硫代氨基甲酸酯化合物感光活性较低，后来也未能转化为实际应用，但确实开启了一种全新的聚合物材料加工技术。

　　1948年，美国专利中出现第一个光固化油墨配方和实施技术的专利。

　　1949年德国Kalle公司首先开发成功紫外正性光刻胶。

　　1954年，由柯达公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为第一个光固化性能的光刻胶 [39]，牌号KPR。先用于印刷工业，后用于电子工业。

　　1958年，柯达公司发展出了叠氮-橡胶系的负性光刻胶 ，牌号为KMER和KTFR。

　　PS-b-PnBuMAPoly(styrene-b-n-butyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯

　　PS-b-PtBuOS

　　Poly(styrene-b-t-butoxystyrene)

　　聚苯乙烯-b-聚丁氧基苯

　　PS-b-PtBuMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl methacrylate)

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　　分子印迹复合材料多种材料相互补充使复合材料的性能更为。除了单一的膜材料、磁性材料和纳米材料外,出现了复合材料如纳米膜材料、磁性纳米材料等。这些复合材料已经应用于分子印迹技术中。王小如等合成了纳米管膜应用于化学分离,并用多孔性氧化铝为模具合成了磁性分子印迹纳米线。复合材料为分子印迹的发展提供了新的动力。 自20世纪90年代以来,MIT以其高亲和性、高选择性等优点迅速吸引了各国研究人员的注意并蓬勃发展,至今已被应用于化学、生物、医学、环境等各大学科及其分支领域之中。MIPs的合成与应用方法已日趋成熟,但目前的MIT仍存在着一些问题。如其尚不能将某些类似物分离。随着计算化学与计算机模拟技术的发展,建立完整的单体交联剂库,利用虚拟反应来指导MIPs的合成已成为新的发展趋势。此外,大力发展水相中制备方法,减少对有机溶剂的依赖,不仅能模拟生物体的识别模式,而且会大地扩展其使用范围。

　　低浓度Cr3+的分离检测过程主要是依赖于可用的分离 /预浓缩材料及技术。预浓缩过程是进行痕量分析测定及分析的关键步骤。分子印迹技术对于合成对不同物质有接收键合位点的聚合物材料是一种的技术, 分子印迹聚合物在很多科技领域用于分子识别过程, 如固相萃取、谱分离、膜分离、感应器、物释放和催化过程, 等等。传统的分子印迹聚合物合成方法通常有如下几种。首先, 功能单体通过非共价或共价作用在模板分子周围进行装配。接下来, 单体 - 模板配合物及交联剂发生共聚。聚合完成后, 移去模板分子, 聚合物内部留下了与模板分子功能基团在分子尺寸、形状及空间排序上互补的分子孔穴。, 得到的整块材料通过碾磨及过滤得到需要的粒径。离子印迹聚合物的合成过程与分子印迹的方法相同, 但利用离子作为模板分子。采用传统方法合成的分子印迹聚合物有一些缺点, 如印迹聚合物通常较厚, 单位体积聚合物上的分子识别点相对较少, 模板分子在基质中镶嵌较深, 因此洗脱较困难。模板分子的扩散阻力较大, 因此传质速度较低, 模板分子与识别点的结合困难。为了有效改善这些缺点, 表面印迹技术在近几年发展较为迅速。表面印迹技术主要分为两类: (1) 基于乳化及沉淀聚合法的表面印迹技术; (2) 硅胶颗粒表面改性的表面印迹技术。在第二个方法中, 硅胶表面接枝聚 合法被广 泛研究。Sulitzky等采用“接枝于”的方法将分子印迹聚合物薄膜接枝于硅胶表面。硅胶颗粒表面薄聚合物膜中印迹孔穴分布对于识别点与模板分子结合是十分有利的。