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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
本发明提供的喜树碱前凝胶是以喜树碱前和甲基丙烯酸为单体,在交联剂作用下通过交联聚合反应制备得到的pmaa纳米凝胶。pmaa纳米凝胶中存在大量羧基,可抵抗由于负电荷引起的非特异性蛋白质吸附,这使它在正常的生理环境中保持稳定。但其在肿瘤组织或肿瘤细胞的低ph环境中可以迅速缩小至较小的体积,从而容易穿透至深部肿瘤组织并导致物释放。基于此,本发明喜树碱前凝胶具有良好的ph响应性能。另一方面,通过向喜树碱的结构中引入二硫键形成前,并进一步作为单体制备pmaa纳米凝胶,不仅提高了物的稳定性,避免出现物泄漏的情况,而且还使得纳米凝胶具备了氧化还原响应性,赋予其生物降解性和更快的物释放能力。
实施例12还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-7的制备将cpt-ss-m(50mg),甲基丙烯酸(450mg),甲叉双丙烯酰胺(125mg)和偶氮二异丁腈(18.8mg),加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中,接着加入40ml无水乙腈,超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气,接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后,收集反应混合物,以1×104转/分钟的转速离心10分钟,得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着,加入20ml乙腈,超声分散均匀,离心,重复此操作三次,获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为95.4±0.9%,马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为765±3nm,电位为-20.0±1.3mv。
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填充剂和改性剂:PPMA浆料可以通过添加填料和改性剂来调整其性能,用于增强材料的强度和刚度。聚丙烯酸甲酯浆料的制法一般是通过聚合反应来合成。将丙烯酸甲酯单体与引发剂和助剂等混合,然后进行聚合反应,得到聚丙烯酸甲酯浆料。
避免接触皮肤和眼睛:PPMA浆料具有刺激性,可能引起过敏反应。在操作过程中要使用个人防护装备,如手套、护目镜等。
避免长时间吸入气体:聚合过程中产生的气体可能对呼吸系统有害,应保持通风良好的工作环境,并佩戴适当的呼吸防护设备。
在本文中, 成功地实现了在聚乙烯亚胺硅胶颗粒的表面印迹上重金属离子, 获得了新型离子印迹材料IIP-PEI/Si O2, 同时一种新的表面分子印迹技术得以发展。印迹空穴分布在薄的印迹聚合物层, 这样对模板离子扩散的阻碍会更小。因此, 对于模板离子而言能够更容易、更快地与识别位点结合。IIP-PEI/Si O2对模板离子具有很强的亲和力, 动态和静态吸附量也比PEI/Si O2的吸附量高出两倍。IIP-PEI/Si O2表现出对模板离子的选择性。另外, 吸附在IIP-PEI/Si O2上的离子 很容易被HCl洗脱 , 这对于IIP-PEI/Si O2的再生和再利用是十分有利的。在本研究中应用了这项新的表面分子 印迹技术, 不仅使得实验步骤简单了, 而且对在高力学性能下与无机载体粒子的特定区域结合的模板具有高的亲和力。这项新的表面分子印迹技术提供了一条制备高性能吸附和分离材料的新途径。