深圳PC/ABS水口料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Poly(methyl methacrylate-b-2-hydroxyethylmethacrylate)聚甲基丙烯酸-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯

　　PtBuA-b-P4VP

　　Poly(t-butyl acrylate-b-4-vinylpyridine)

　　聚丙烯酸叔丁酯-b-聚乙烯基吡啶

　　PtBuMA-b-P2VP

　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD

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　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸PEO-b-PMAEPoly(ethylene oxide-b-methyl acrylate)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸酯

　　PEO-b-PMMA

　　Poly(ethylene oxide-b-methyl methacrylate)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　该纳米凝胶的谷胱甘肽还原响应性能的表征结果如图4所示。可以发现，用10mmgsh处理48h后，p(cpt-maa)前纳米凝胶的蓝荧光消失，表明cpt可以被gsh刺激释放。而非还原响应的p(cpt-maa)纳米凝胶相同处理后，蓝荧光没有消失。此外，通过hplc分析与10mmgsh孵育后的p(cpt-maa)前纳米凝胶的介质，可以发现与游离cpt相同保留时间的峰出现，表明从p(cpt-maa)前纳米凝胶中释放出cpt。这与cpt-ss-m与10mmgsh孵育时的现象相同。表明了该p(cpt-maa)前纳米凝胶具有良好的谷胱甘肽还原性能。