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1942年,英国Eisler发明印刷电路板 [39],重铬酸盐感光材料作为光敏抗蚀剂用于制造印刷线路板。重铬酸在紫外光作用下还原成三价铬离子,三价铬离子可和水溶性聚合物中的羰基、胺基、羟基等作用形成不溶的配位络合物。
1943年,美国杜邦公司提交了世界第一份有关光引发剂的发明专利,尽管这种二硫代氨基甲酸酯化合物感光活性较低,后来也未能转化为实际应用,但确实开启了一种全新的聚合物材料加工技术。
1948年,美国专利中出现第一个光固化油墨配方和实施技术的专利。
1949年德国Kalle公司首先开发成功紫外正性光刻胶。
1954年,由柯达公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为第一个光固化性能的光刻胶 [39],牌号KPR。先用于印刷工业,后用于电子工业。
1958年,柯达公司发展出了叠氮-橡胶系的负性光刻胶 ,牌号为KMER和KTFR。
Gong等[8]将乙烯基三乙氧基硅烷 (VTES) 嫁接到硅胶表面, 以青蒿素为模板, 丙烯酰胺 (AM) 和MAA为功能单体, EGDMA为交联剂, 通过2, 2-偶氮-2-异丁腈 (AIBN) 热引发聚合制备了青蒿素SSMIP。该SSMIP吸附在约10h达到平衡, 大吸附容量为37.13 mg/g, 对结构类似物蒿甲醚、蒿乙醚的分离系数分别为2.88和3.38。笔者课题组以对叔辛基苯酚 (PTOP) 为模板、MAA为单体, 活化硅胶为载体, 制备了PTOP-SSMIP[9]。该SSMIP对PTOP具有较大的吸附容量和良好的选择性, 其大吸附量约为86.12mg/g。同时在通过水解TEOS制得的二氧化硅微粒表面, 以乙烯基三甲氧基硅烷 (VTTS) 为接枝剂, 壬基酚 (NP) 为模板, MAA为功能单体, 制备了NP-SSMIP (如图1所示) [10]。该SSMIP对NP具有良好的结合亲和性, 大结合量可达184.6mg/g, 明显高于其结构类似物对叔辛基苯酚和双酚A, 表现出较高的选择性识别能力, 且与在市售硅胶 (70~230目) 表面制备的壬基酚和双酚A印迹聚合物的大吸附量 (壬基酚3.8mg/g, 双酚A 60.03mg/g、37.13mg/g) 相比均有明显的提高。这主要得益于TEOS水解制备的二氧化硅微粒粒径小且分散性好, 有效增大了SSMIP的比表面积, 从而使所制备的印迹微球对目标物有较高的吸附容量。
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为满足临床应用的要求,技术人员已经在结构修饰、制备纳米制剂、合成前等多个方面做出了努力,以期改善cpt的性质。对于结构修饰,伊立替康和拓扑替康可能是成功的cpt衍生物,目前仍然是临床上使用的重要抗癌物,但在体内缺乏靶向性,存在循环不良和副作用严重的缺陷。此外,也开发了许多微米级或纳米级cpt制剂,如微球纳米粒子,脂质体,纳米胶束等。纳米级cpt可以通过高渗透长保留(epr)效应被动地靶向肿瘤组织,但是由于简单物理封装的不稳定性,cpt容易从体内循环的载体中泄漏,导致严重的副作用和较低的治疗效果。此外,由于水溶性差,cpt在纳米制剂中的包封率低,这也严重限制了其应用。为了解决这个问题,技术人员采用了前策略,通过前体物修饰,可以大地改善cpt的物理化学性质。此后,cpt不仅可以有效地传递到靶向组织而不会在其他组织中渗漏,而且还可以在某些微环境中释放母体cpt以起到抗肿瘤活性的作用。此外,纳米级前可以通过epr效应实现被动靶向肿瘤组织。
纳米管印迹膜一种印迹孔穴具有纳米管形状的分子印迹聚合物膜。纳米管印迹膜的出现标志着分子印迹技术又有了新的突破。这种膜的制备是由王小如研究组首先提出的,他们将表面引发原子转移自由基聚合(ATRP)和分子印迹技术原理相结合,使用多孔阳氧化铝薄膜(AAO)为载体膜并用32氨基丙基三甲氧硅烷进行表面硅烷化处理,将ATRP引发剂22溴222甲基丙酰溴接枝到AAO的表面,然后与金属有机催化剂1、4、8、112四氮杂萘并苯铜、功能单体42乙烯吡啶、印迹分子β2雌二醇或孕酮和交联剂的乙腈溶液混合,在N2保护下进行热聚合得到聚合物膜,除去印迹分子后形成纳米管印迹膜。结果表明,这种结合位点具有纳米级的孔径和几纳米管壁厚度的印迹膜对目标分子具有高选择性、高亲和性、高容量和的结合能力。