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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　He等[6]以3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷 (KH-570) 修饰的纳米硅为载体材料, 甲基丙烯酸 (MAA) 为功能单体, 乙二醇二甲基丙烯酸酯 (EGDMA) 为交联剂, 通过表面接枝共聚法制备了天麻素 (GAS) SSMIP。该SSMIP对GAS具有良好的选择性和较快的结合动力学, 对竞争底物的选择性系数为3.455, 吸附在40min可达到平衡。Gao等[7]以丙基三甲氧基硅烷 (MPS) 作为媒介物, 首次将功能性高分子聚甲基丙烯酸 (PMAA) 接枝到微米级的硅胶粒子表面 (PMAA/SiO2) , 以肌酐为模板, 乙二醇缩水甘油醚 (EGGE) 为交联剂, 通过PMAA和肌酸酐分子间的氢键和静电作用制备肌酐印迹材料MIP-PMAA/SiO2。实验结果表明:MIP-PMAA/SiO2对肌酸酐具有良好的亲和力和较高的识别选择性;而PMAA/SiO2粒子对肌酸酐几乎不存在选择性识别。在碱性条件下PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数分别为1.23和1.30;而MIP-PMAA/SiO2对肌酐和肌酸的选择性系数显著增大, 分别为11.64和12.87, 显示出对肌酸酐的识别选择性和亲和力。

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　　Poly(styrene)-block-poly(ethylene glycol)聚苯乙烯-b-聚乙二醇

　　PDLLA-b-PAA

　　Poly(D,L-lactide-block-acrylic acid)

　　DL型聚乳酸-b-聚丙烯酸

　　PGA-PEG-PGA

　　Polyglycolide-block-poly(ethyleneglycol)-block-polyglycolide

　　PMMA-b-PNPAPoly(methyl methacrylate-b-neopentylacrylate)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚新戊酯

　　PMMA-b-PNA

　　Poly(methyl methacrylate-b-n-nonylacrylate)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚壬酯

　　PMMA-b-PHEMA