虎门GPPS水口料收购价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Poly(methyl methacrylate-b-ε-caprolactone)聚甲基丙烯酸-b-聚已内酯

　　PMAA-b-PCL

　　Poly(methyl acrylate-b-caprolactone)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚已内酯

　　PBd-b-PtBuA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-t-butylacrylate

　　在物递送方面，PMAA-PCL-SH通过巯基与物分子进行共价结合，能够实现物的靶向传递和缓释。PMAA基团增强了材料的水溶性，有助于物的溶解和吸收。该材料还可通过改变PMAA的分子量或比例来调节物的释放速率，从而实现更为的物管理。此外，PMAA-PCL-SH也可用于环境保护和水处理，利用其巯基吸附水中的重金属离子和有机污染物。其表面功能化特性使其成为的吸附剂。厂家:西安瑞禧生物状态:固体/粉末/溶液

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　　PS-PtBuA-PMMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-methylmethacrylate)

　　PS-PIP-PGMAPoly(styrene-b-isoprene-b-glycidylmethacrylate)

　　PS-P2VP-PEO

　　Poly(styrene-b-2-vinyl pyridine-b-ethyleneoxide)

　　P4VP-PS- P4VP

　　Poly(4-vinyl pyridine-b-styrene-b-4-vinylpyridine)

　　PS-PBd-PMMAPoly(styrene-b-butadiene-b-methylmethacrylate)

　　PS-PBd-2VP

　　Poly(styrene-b-butadiene-b-2-vinylpyridine)