澄海PMMA水口料回收厂家电话

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　实施例4cpt-cc-m的制备在氮气气氛下，将喜树碱(0.70g，2mmol)和三光气(0.2g，0.66mmol)共混于50ml无水二氯甲烷中，随后加入4-二甲氨基吡啶(0.73g，6mmol)，搅拌反应1小时。接着将hdoma(0.47g，2.5mmol)溶于10ml无水四氢呋喃中，逐滴加入到上述反应液中。室温下反应24小时后，过滤反应混合物，以除去不溶性盐；旋转蒸发除去溶剂。将残余物重新溶解在二氯甲烷中，分别用稀盐酸(100mmol/l)、水、饱和氯化钠溶液分别洗涤两次。收集有机层，并用无水硫酸镁干燥。浓缩上清液，以二氯甲烷/甲醇(200/1，v/v)作为洗脱液，通过二氧化硅硅胶柱分离纯化，获得淡黄的供聚合用的喜树碱单体(cpt-cc-m)。1hnmr(cdcl3，δ，ppm，tms):8.41(s，1h)，8.24(d，1h)，7.95(d，1h)，7.84(m，1h)，7.68(m，1h)，7.36(s，1h)，6.08(s，1h)，5.31(d，2h)，4.42-4.33(m，4h)，3.07-2.80(m，4h)，2.33-2.12(m，2h)，1.91(s，3h)，1.01(m，3h)。esi-msm/z:计算值为561.60；实测值为561.60[m+h]+。

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　　进行了5 m L相同浓度的Cr3+溶液与不同体积的PEI溶液的反应, 上清液的吸附光谱如图2所示。从图2可以看出, 体系的吸光度 (剩余Cr3+离子的吸光度) 随着加入的PEI溶液的增加逐渐降低, 当PEI溶液体积达到30 m L时 (曲线h) , PEI加入量与Cr3+分子比为6∶1, 体系的吸光度达到小值, A=0, 表明Cr3+已被耗尽;随后, 继续增加PEI的体积, 体系的吸光度仍为0, 曲线i和曲线h叠加。实验结果表明PEI大分子上氨基的N原子与Cr3+的配位呈定量, 化学计量比为6∶1, 配位体的螯合数为6。

　　在本文中, 成功地实现了在聚乙烯亚胺硅胶颗粒的表面印迹上重金属离子, 获得了新型离子印迹材料IIP-PEI/Si O2, 同时一种新的表面分子印迹技术得以发展。印迹空穴分布在薄的印迹聚合物层, 这样对模板离子扩散的阻碍会更小。因此, 对于模板离子而言能够更容易、更快地与识别位点结合。IIP-PEI/Si O2对模板离子具有很强的亲和力, 动态和静态吸附量也比PEI/Si O2的吸附量高出两倍。IIP-PEI/Si O2表现出对模板离子的选择性。另外, 吸附在IIP-PEI/Si O2上的离子 很容易被HCl洗脱 , 这对于IIP-PEI/Si O2的再生和再利用是十分有利的。在本研究中应用了这项新的表面分子 印迹技术, 不仅使得实验步骤简单了, 而且对在高力学性能下与无机载体粒子的特定区域结合的模板具有高的亲和力。这项新的表面分子印迹技术提供了一条制备高性能吸附和分离材料的新途径。