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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数与竞争离子B相比可以通过以下方程式 (4) 得到k值可以通 过估计IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附性。相对选择吸附系数 (k') 可以通过式 (5) 计算, k' 表明了印迹吸附剂对模板离子的吸附亲和力及印迹材料的选择吸附性相对于非印 迹吸附剂的提高 程度。 2.5 IIP-PEI/Si O2对 Cr3+的动力吸附实验及解吸实验

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　　Lv等[11]通过VTTS接枝后聚合MAA, 在硅胶表面覆盖高密度聚合物膜制备SSMIP, 并利用其固相萃取分离鱼样品中的诺氟沙星 (NOR) 。该SSMIP对NOR的大吸附量达423.2μmol/g, 选择性系数为14.64, 吸附在2h左右可达到饱和。Guo等[12]在二氧化硅表面通过VTTS接枝, 以AM为单体, N, N′-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂, 聚乙烯醇 (PVA) 为辅助识别聚合物链 (ARPCs) , 制备了牛血红蛋白 (BHb) SSMIP。吸附动力学研究表明, 将ARPCs引入到印迹聚合物网络中明显改善了SSMIP对BHb的吸附能力。

　　Gauczinski等[4]将模板分子茶碱接枝到聚 (丙烯酸) 主链上, 通过对紫外线敏感的重氮聚阳离子用紫外光引发聚合, 在硅胶表面形成层层印迹薄膜, 制备了茶碱SSMIP。该SSMIP对与茶碱一个官能团差异的结构类似物咖啡因也显示出很好的结合特性。Yang等[5]以3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (APTES) 为硅烷偶联剂和单体, 以青蒿素为模板, 以四乙氧硅烷 (TEOS) 为交联剂, 在硅胶表面通过接枝共聚法制备了青蒿素SSMIP。SSMIP对青蒿素的大吸附量为40.0mg/g。印迹因子和选择性系数分别为2.0和1.5。吸附在3.5h可以达到平衡, 在超临界CO2流体中SSMIP对青蒿素的吸附容量可以达到120.0mg/g。