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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PS-P4VP-PEO

　　Poly(styrene-b-4-vinyl pyridine-b-ethyleneoxide)

　　PAA-NH2Poly(acrylic acid) Function NH2

　　Poly(acrylic acid) Function OH

　　HS-PCL-COOH

　　Thiol–Carboxy–terminatedPoly(ε-caprolactone)

　　3 结果与讨论3.1 PEI 与 Cr3+的配位过程 根据2.2.1所述过程, 5 m L相同浓度的Cr3+、Pb2+、Zn2+溶液用PEI溶液滴定, 电导率随消耗PEI溶液的体积的变化结果如图1所示。可以得到以下结论: (1) 在滴定过程中, 电导率随着PEI溶液的消耗而增加, 因为PEI与金属离子发生了螯合反应; (2) 对于Cr3+离子, 当PEI消耗量约为30 m L时, 出现了一个明显的转折点; (3) 对于Pb2+和Zn2+离子溶液, 当PEI用量约为20 m L时, 明确的转折点在不同的曲线上出现。说明PEI与Cr3+、Pb2+和Zn2+离子发生了螯合, 化学计量表明PEI和Cr3+比例为6∶1时, 形成了与四个配体的螯合。

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　　实施例12-((2-羟乙基)二硫烷基)乙基甲基丙烯酸酯(hsema)的制备将2,2'-二硫二乙醇(1.54g，10mmol)和三乙胺(1.52g，15mmol)溶解于50ml无水四氢呋喃中，冰水浴条件下冷却至0℃。将甲基丙烯酰氯(1.05,10mmol)溶于25ml无水四氢呋喃，剧烈搅拌下逐滴缓慢加入上述反应液中。室温下反应过夜，过滤除不溶性盐；然后，旋转蒸发以除去溶剂。将得到的粗产品用50ml乙酸乙酯稀释，并用水、饱和氯化钠溶液分别洗涤三次，以除去未反应的原料中杂质。分离收集有机相，用无水硫酸镁干燥。旋转蒸发浓缩溶液，然后通过二氧化硅柱分离纯化，流动相为乙酸乙酯/石油醚(1/3，v/v)，得到纯的2-((2-羟乙基)二硫烷基)乙基甲基丙烯酸酯(hsema)。1h-nmr(cdcl3，δ，ppm，tms):6.14(s，1h)，5.60(s，1h)，4.43(t，2h)，3.90(t，2h)，2.98(t，2h)，2.89(t,2h)，1.95(s，3h)。

　　其模塑料的聚合技术主要有三种，悬浮聚合、溶液聚合和本体聚合。其中悬浮聚合和溶液聚合技术成熟，被大多数厂商使用。本体聚合得到的聚合物较纯净，无杂质，且能耗低，，但技术门槛较高，只有德国、美国和日本几家企业掌握此技术截至 2010 年， PMMA 总产能为 225 万吨/年，其中板材占 49%，模塑料占 51%

　　从产品性能和用途来看，PMMA 模塑料又可大致分为通用级、耐热级、光学级和抗冲击级四类