海珠PA12上门收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylamide)聚氧乙烯-b-聚丙烯酰胺PEO-b-PTMEG

　　Poly(ethylene oxide-b-butylene oxide)

　　聚氧乙烯-b-聚氧化丁烯

　　PEO-b-PCL

　　Poly(ethylene oxide-b-ε-caprolactone)

　　实施例5非还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶的制备将cpt-cc-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，甲叉双丙烯酰胺(55.6mg)和偶氮二异丁腈(16.8mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-cc-m的接枝率为90.4±0.8％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为450±6nm，电位为-20.1±1.2mv。

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　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PS-b-PAMD

　　Poly(styrene-b-acrylamide)聚苯乙烯-b-聚丙烯酰胺

　　PS-b-PAA

　　Poly(styrene-b-acrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸

　　PS-b-PACs

　　Poly(styrene-b-cesium acrylate)

　　利用嵌段的溶解能力的温度依赖性制备胶束相当一部分嵌段共聚物在溶液中有热敏性, 具有LCST相行为，超过此温度即 可形成具有壳-核的胶束结构。利用pHPMAmDL-b-PEG的温度依赖性，将pHPMAmDL-b-PEG溶于等渗的醋酸铵缓冲液中，紫杉醇溶于乙醇中加入缓冲液，加热到50℃后冷却就得到了紫杉醇聚合物胶束，胶束载量达到 22%，体外释实验表明物在5、20h释放了30%、70%。