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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　荧光光谱法对于具有荧光性质的模板分子,荧光光谱法是选择功能单体的比较好的方法。荧光供体分子(模板分子)与荧光猝灭剂分子(功能单体)之间借助分子间力,彼此结合形成具有一定结构的不发荧光的基态复合物,而导致荧光强度减弱。即静态荧光猝灭现象。 (4)计算机模拟计算 随着计算机和量子化理论的发展,计算机模拟技术已经应用到分子印迹体系中。这种方法可以大大减少摸索实验的次数,也可以减少不必要的品浪费。计算机模拟计算常用半经验计算方法,大致过程为,步,用软件优化各种可能的模板分子、功能单体及其复合物的构象,选出小能量构象。第2步,功能单体与模板分子的相互作用能利用下式计算:△E=E(模板分子和功能单体的复合物)-E(模板分子)-E (功能单体)。△E越大,说明模板分子与功能单体的作用越易形成氢键,且形成的氢键越牢固。

　　PS-PBu-PS

　　Poly(styrene-b-Ethylene-butylene-b-styrene)

　　PS-PnBuA-PSPoly(styrene-b-n-butyl acrylate-b-styrene)

　　PS-PtBuA-PS

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-styrene)

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　　Poly(dimethylsiloxane-b-t-butyl methacrylate)

　　PDMS-PEEMA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-1-ethoxy ethylmethacrylate)

　　PDMS-PCLPoly(dimethylsiloxane-b-ε-caprolactone)

　　PDMS-PLA

　　试验例2体外细胞毒性测试选择人肝癌细胞hepg2和成纤维细胞l929以研究纳米凝胶的细胞毒性。将细胞在含有10％fbs和抗生素(青霉素和链霉素，100u/ml)的dmem培养基中，于37℃在含有5％co2的潮湿气氛中温育。

　　使用mtt测定法在l929细胞和hepg2细胞上测试细胞毒性。简而言之，将对数期的细胞接种到96孔板中。在100μldmem中孵育24小时后，将在100μldmem中具有不同浓度的一系列p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)加入每个孔中并进一步孵育24,48和72小时。在预定时间点，用200μl新鲜dmem替换培养基，加入20μlmtt溶液(5mg/ml，在生理盐水中)。进一步温育4小时后，弃去培养基并用150μldmso替换。摇动后，通过酶标仪在570nm处测量每个孔的光密度(od)。结果在六个单独的实验中取平均值，并表示为平均值±sd。细胞活力(cv)计算如下等式:cv(％)＝od(处理的)/od(未处理的)×100％。此外，如上所述评估空白纳米凝胶(根据实施例16制备)的细胞毒性。