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20世纪90年代中期,美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”(nanoimprint lithography)的新技术。
1996年,欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目,约110个研究单位参与,其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。
1997年,Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC,并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室(VNL)签订了极紫外光刻联合研发协议(CRADA)。
1998年,日本开始极紫外光刻研究工作,并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会(EUVA) 。
1962年,中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托,着手研究光刻胶,以吡啶为原料,采用热法工艺,制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。
1967年,中国第一个KPR型负性光刻胶投产。
1970年,103B型、106型两种负胶投产,环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。
3 分子印迹技术的膜和材料制备方面的应用3.1 新的膜制备技术 (1)多层自组装膜 通过化合物分子之间不同的作用力结合而成。这种作用力主要包括共价或配位作用、氢键、静电力、疏水作用力、π2π堆积作用以及阳离子π吸附作用。多层自组装印迹膜是在印迹聚合物表面通过不同的作用力结合形成膜,然后反复在聚合物混合溶液中进行自组装,形成多层膜结构,将印迹分子洗脱,得到多层自组装印迹膜。自组装方法包括共价(或配位)自组装、氢键自组装、静电自组装。张希等报道了用光交联法和多层膜自组装方法制备的以5、10、15、202四甲基氨基苯21H、23H卟琳为印迹分子的多层自组装印迹膜,与其他方法制备的印迹膜相比具有较高的识别能力。
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2 活性可控自由基聚合法在聚合体系中引入一种的化合物, 与活性种链自由基进行可逆的链终止或链转移反应, 致其失活变成无增长活性的休眠种, 该休眠种在实验条件下又可分裂成活性链自由基, 由此可建立活性种与休眠种间的动态平衡。这种的动态平衡反应不但能将体系中的自由基浓度控制得很低并抑制其终止, 还可以控制聚合产物的分子量和分子量分布, 实现活性可控自由基聚合。 Su等[17]通过拟活性自由基聚合法合成磺胺甲嘧啶 (SMZ) SSMIP。他们使用化学试剂将引发转移终止剂固定在硅胶表面, 以SMZ作为模板, MAA为功能单体, EDMA为交联剂, 由紫外辐射引发聚合反应。通过液相谱对SMZ进行定量分析, 发现该SSMIP对SMZ具有较好的选择性和较高的柱效率, 检测线性范围为0.1~50μg/mL, 检测限为25ng/mL, 对牛奶样品中SMZ的加标回收率在78%以上。
聚甲基丙烯酸(PMMA)为透明易碎的固体。溶于水,易溶于甲醇、乙醇、乙二醇乙醚、二甲基甲酰胺,不溶于丙酮和乙醚。由丙酮和氰化氢的加成中间产物2-甲基-羟基丙腈水解或由2-氰代丙醇与硫酸作用,再经水解制得甲基丙烯酸,甲基丙烯酸在引发剂过硫酸铵或双氧水和调节剂的存在下,进行聚合制得。目前,PMAA的制备方法主要丙酮氰醇法(HCN)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)水解法。丙酮氰醇法(HCN)是国内外生产聚甲基丙烯酸的主要方法,在丙酮与氰氢酸反应生产丙酮氰醇后,丙酮氰醇与浓硫酸反应,生成甲基丙烯酰胺硫酸盐,水解得甲基丙烯酸,在引发剂存在下聚合制得。该生产工艺繁琐、成本高,聚合时对pH值要求高,聚合速率较低;聚甲基丙烯酸甲酯水解法是将PMMA在酸碱催化、加热条件下水解制备聚甲基丙烯酸或聚甲基丙烯酸盐。