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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
分子印迹技术一般包括以下几个步骤:①在一定溶剂中,具有适当功能基团的功能单体通过与模板分子间的相互作用聚集在模板分子周围,形成稳定的复合物。②加入交联剂后,过量的交联剂使得功能单体上的功能基团在特定的空间取向上固定。③将聚合物中的印迹分子洗脱或解离出来得到分子印迹聚合物(见下图)。2 分子印迹聚合物及其制备 分子印迹聚合物是分子印迹技术的核心。简单地说,它是一种人工合成的利用分子印迹技术制备的高分子聚合物。该聚合物拥有与模板分子大小和形状相匹配的立体孔穴,同时孔穴中包含了排列的与特定结构的模板分子官能团互补的活性基团。所以分子印迹聚合物具有特异“记忆”功能基团。MIP的制备方法通常有本体聚合、沉淀聚合、表面印迹、溶胶凝胶、两步溶胀等方法。
物理结合的胶束释特点物理包埋法制备的胶束常常通过扩散作用释。一般来说,物理包埋法制备的胶束比化学结合法制备的胶束释更快,释速度与3 个因素有关:
(1)物与疏水核的相容性良好的胶束核与物相容性可明显地延缓物的释放。将PEO-b-P(Asp) 疏水核引入饱和脂肪酸,结果包载的脂肪族物两性霉素B 的溶血性降低,意味着物的释放速度变小。
(2)氢键作用力胶束核与物之间具有强的氢键作用力也可以延缓物释放。制备了PDLLA 区含有游离羧基的PEO-PDLLA 胶束,并发现随着游离羧基浓度提高,物载量提高而释速率降低,可能是因为胶束核和物的氢键作用力增强所致。
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聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PCLA-PEG-MAL
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL CL:LA 50:50
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-马来酰亚胺
PCLA-PEG-COOH
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Acid CL:LA 50:50
试验例4本发明纳米凝胶对癌细胞的抑制作用采用流式细胞仪,对于细胞凋亡情况进行分析。分别用pbs,空白pmaa纳米凝胶(根据实施例16制备),非还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶(根据实施例5制备),p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)和游离cpt与细胞共培养12小时,其中给剂量以cpt含量计为2.5mg/ml。收集细胞,用冷pbs(ph7.4)洗涤三次,用annexin-v-fitc凋亡检测试剂盒(invitrogen)处理,然后在beckmancoulter流式细胞仪(navios,beckman,usa)上分析。