松山TPU回收价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PBd-PS-PBd

　　Polybutadiene(1,4-addition)-b-Polystyrene-b-Polybutadiene(1,4-addition)

　　PEO-PS-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-styrene-b-ethyleneoxide)PEO-PLA-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-lactide-b-ethyleneoxide)

　　实施例6、7、13～15中cpt-ss-m的用量分别占原料总质量的10％、5％、15％、20％。经比较可以看出，随着cpt-ss-m用量的增加，制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大，接枝率降低。当cpt-ss-m的用量增加至原料总质量25％时，制备得到的p(cpt-maa)纳米凝胶在ph＝7.4的磷酸盐缓冲溶液中溶解，导致无法通过静脉注射给。综合实施例6～15可以看出，随着交联剂、引发剂、cpt-ss-m投料量增加，所制备的p(cpt-maa)前纳米凝胶的直径增加。增加交联剂的用量可以增加聚合早期初级较小核的数量，其倾向于聚集成较大的颗粒以降低其表面张力。增加引发剂的用量将显著提高聚合活性，这不仅增加了聚合早期阶段的原核数量，而且加速了核增大聚合的反应。对于cpt-ss-m，由于cpt的刚性多苯基结构，所制备的纳米凝胶几乎不能被压缩，随着cpt-ss-m的进料量增加，导致直径增加。

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　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯PS-b-PnBuMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl styrene)

　　聚苯乙烯-b-聚丁基苯乙烯

　　PS-b-PCL

　　Poly(styrene-b-ε-caprolactone)

　　聚苯乙烯-b-聚已内酯

　　PS-b-PHEMA

　　PIB-b-PDMSPoly(isobutylene-b-dimethylsiloxane)

　　聚异丁烯-b-聚二甲基硅氧烷

　　PIB-b-PCL

　　Poly(isobutylene-b-ε-caprolactone)

　　聚异丁烯-b-聚已内酯

　　PIB-b-P4VP

　　Poly(isobutylene-b-4-vinyl pyridine)