汕头HIPS水口料长期回收

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　结果如图8所示，将细胞培养4小时后，用空白pmaa纳米凝胶(根据实施例16制备)处理的细胞未观察到荧光，而p(cpt-maa)前纳米凝胶组可在1小时至4小时内逐渐观察到蓝荧光，表明p(cpt-maa)前纳米凝胶可被hepg2细胞成功摄取。此外，蓝荧光不能与红荧光重叠，表明纳米凝胶可以从晚期内体和溶酶体中逃逸并进入细胞质，然后通过高含量的gsh和癌细胞的细胞质中的低ph水平，可以触发cpt释放。

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　　Poly(styrene-b-cyclohexyl methacrylate)聚苯乙烯-b-甲基丙烯酸环己酯

　　PS-b-PEMA

　　Poly(styrene-b-ethyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸乙酯

　　PS-b-PLA

　　Poly(styrene-b-lactide)

　　PLCL-PEG-PLCL，LA:CL 50:50

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(lactide-co-caprolactone)

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯PLCL-PEG-MAL

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  LA:CL 50:50