石龙废硅胶边角料回收公司

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　HPMA 更适合高温、高压、高硬度的水处理系统，具有优良的阻垢、分散和耐高温性能，常用于锅炉、海水淡化和蒸发设备中。 PAA 则适用于常温水处理系统，主要用于一般工业冷却水、反渗透系统等领域，分散和阻垢性能较好，但耐高温性相对较差。

　　这两种化合物常根据具体应用场景的不同需求来选择和使用。PMAA接枝聚苯乙烯(PSt-g-PMAA)共聚微球的应用: 通过原子转移自由基聚合(ATRP)和定向水解反应得到了苯乙烯单封端聚甲基丙烯酸(St—PMAA)大分子单体,使其与苯乙烯(st)在醇/水混合介质中进行接枝共聚反应,制得了以PSt为核,PMAA为壳,形态规整的聚合物复合微球.FT-IR和^1H-NMR的分析表明:St—PMAA大分子单体的结构明确,电位测定发现复合微球表面带有明显的负电荷,且在pH=5.5左右其Zeta电位可发生显著变化,说明该复合微球具有pH响应性。

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　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。

　　Poly(ethylene oxide-b-propylene oxide)聚氧乙烯-b-聚环氧丙烷PEO-b-PtBuA

　　Poly(ethylene oxide-b-t-butyl acrylate)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸三丁酯

　　PEO-b-PtBUM

　　Poly(ethylene oxide-b-t-butyl methacrylate)