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　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　PMAA-PCL-SHThiol end functionalized Poly(methacrylicacid-b-e-caprolactone)

　　PEO-PLA-NH2

　　Amino Terminated Poly(ethyleneoxide-b-lactide)

　　PMMA 的发展距今已有一百多年历史，1877 年 MMA 的聚合性始被发现，但直到 1933 年德国化学家 Otto Rohm 才将 PMMA 商品化，并以 Plexiglas 为注册商标行销全欧洲。后来随着其他厂商的进入，PMMA 也出现了许多商品名，常见的名称有 Lucite、Perspex、Optix(Plaskolite)和 Altuglas

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　　实施例4cpt-cc-m的制备在氮气气氛下，将喜树碱(0.70g，2mmol)和三光气(0.2g，0.66mmol)共混于50ml无水二氯甲烷中，随后加入4-二甲氨基吡啶(0.73g，6mmol)，搅拌反应1小时。接着将hdoma(0.47g，2.5mmol)溶于10ml无水四氢呋喃中，逐滴加入到上述反应液中。室温下反应24小时后，过滤反应混合物，以除去不溶性盐；旋转蒸发除去溶剂。将残余物重新溶解在二氯甲烷中，分别用稀盐酸(100mmol/l)、水、饱和氯化钠溶液分别洗涤两次。收集有机层，并用无水硫酸镁干燥。浓缩上清液，以二氯甲烷/甲醇(200/1，v/v)作为洗脱液，通过二氧化硅硅胶柱分离纯化，获得淡黄的供聚合用的喜树碱单体(cpt-cc-m)。1hnmr(cdcl3，δ，ppm，tms):8.41(s，1h)，8.24(d，1h)，7.95(d，1h)，7.84(m，1h)，7.68(m，1h)，7.36(s，1h)，6.08(s，1h)，5.31(d，2h)，4.42-4.33(m，4h)，3.07-2.80(m，4h)，2.33-2.12(m，2h)，1.91(s，3h)，1.01(m，3h)。esi-msm/z:计算值为561.60；实测值为561.60[m+h]+。

　　Gauczinski等[4]将模板分子茶碱接枝到聚 (丙烯酸) 主链上, 通过对紫外线敏感的重氮聚阳离子用紫外光引发聚合, 在硅胶表面形成层层印迹薄膜, 制备了茶碱SSMIP。该SSMIP对与茶碱一个官能团差异的结构类似物咖啡因也显示出很好的结合特性。Yang等[5]以3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (APTES) 为硅烷偶联剂和单体, 以青蒿素为模板, 以四乙氧硅烷 (TEOS) 为交联剂, 在硅胶表面通过接枝共聚法制备了青蒿素SSMIP。SSMIP对青蒿素的大吸附量为40.0mg/g。印迹因子和选择性系数分别为2.0和1.5。吸附在3.5h可以达到平衡, 在超临界CO2流体中SSMIP对青蒿素的吸附容量可以达到120.0mg/g。