东升PC胶头收购价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PLCL-PEG-PLCL，LA:CL 50:50

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(lactide-co-caprolactone)

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯PLCL-PEG-MAL

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  LA:CL 50:50

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b- n-butylacrylate)P2VN-PMMA

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b- methylmethacrylate)

　　P2VP-PMMA

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-methylmethacrylate)

　　P4VP-PMMA

　　东升PC胶头收购价格

　　Poly(4-vinyl pyridine-b-methylmethacrylate)P2VN-PCL

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-ε-caprolactone)

　　PPO-PCL

　　Poly (propylene oxide-b-ε-caprolactone)

　　PDMS-PnBuA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-n-butyl acrylate)PDMS-PtBuA

　　其中，cpt-ss-m接枝率的计算方法如下:收集纯化过程中的乙腈溶液，通过hplc测定其中cpt-ss-m的含量，则接枝率为(起始投料cpt-ss-m的量-测得cpt-ss-m的量差值)×100％/起始投料cpt-ss-m的量。hplc测定条件为:

　　仪器:agilent1260,agilent,usa；

　　谱柱:c18，4.6mm×150mm,5μm,agilent,usa；