望牛墩PP破碎料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Lv等[11]通过VTTS接枝后聚合MAA, 在硅胶表面覆盖高密度聚合物膜制备SSMIP, 并利用其固相萃取分离鱼样品中的诺氟沙星 (NOR) 。该SSMIP对NOR的大吸附量达423.2μmol/g, 选择性系数为14.64, 吸附在2h左右可达到饱和。Guo等[12]在二氧化硅表面通过VTTS接枝, 以AM为单体, N, N′-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂, 聚乙烯醇 (PVA) 为辅助识别聚合物链 (ARPCs) , 制备了牛血红蛋白 (BHb) SSMIP。吸附动力学研究表明, 将ARPCs引入到印迹聚合物网络中明显改善了SSMIP对BHb的吸附能力。

　　聚苯乙烯-b-聚乳酸PS-b-PMPS

　　Poly(styrene-b-methyl phenyl siloxane)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基苯基硅氧烷

　　PS-b-PDMEA

　　Poly(styrene-b-N,N-dimethyl amino ethylmethacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸乙酯

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　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PS-b-PAMD

　　Poly(styrene-b-acrylamide)聚苯乙烯-b-聚丙烯酰胺

　　PS-b-PAA

　　Poly(styrene-b-acrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸

　　PS-b-PACs

　　Poly(styrene-b-cesium acrylate)

　　PMAA-PCL-SHThiol end functionalized Poly(methacrylicacid-b-e-caprolactone)

　　PEO-PLA-NH2

　　Amino Terminated Poly(ethyleneoxide-b-lactide)

　　PMMA 的发展距今已有一百多年历史，1877 年 MMA 的聚合性始被发现，但直到 1933 年德国化学家 Otto Rohm 才将 PMMA 商品化，并以 Plexiglas 为注册商标行销全欧洲。后来随着其他厂商的进入，PMMA 也出现了许多商品名，常见的名称有 Lucite、Perspex、Optix(Plaskolite)和 Altuglas