博罗GPPS回收价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　本发明中，喜树碱前单体是物成分，具有还原响应性释放喜树碱单体的作用，在肿瘤细胞内高含量谷胱甘肽的作用下释放喜树碱；甲基丙烯酸是凝胶的基本骨架，具有ph响应性能，在肿瘤组织低的ph值条件下，凝胶收缩，可加速喜树碱的释放；交联剂的作用是将喜树碱前单体和甲基丙烯酸连接起来；引发剂是促进聚合反应进行的主要物质。本发明喜树碱前凝胶的制备路径、体内作用机制及ph/还原作用机制如图11所示。下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

　　Poly(methyl methacrylate-b-methacrylicacid)聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸PtBMA-b-PEO

　　Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide)

　　聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚氧乙烯

　　PMMA-b-PAA

　　Poly(methyl methacrylate-b-Acrylic Acid)

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　　Yuan等[14]首先将MAA接枝聚合到硅胶的表面, 然后以苯酚为模板、EGGE为交联剂制备苯酚SSMIP。实验结果表明, 该SSMIP的饱和结合量为160mg/g, 对邻甲酚和氯酚的选择性系数分别高达22和23。杨挺等[15]以3- (异丁烯酰氧) 丙基三甲氧基硅烷为媒介, 将PMAA偶合接枝到硅胶表面。以克仑特罗为模板分子, MAA为单体, EGGE为交联剂, 在甲醇/水溶液中对接枝在硅胶表面的PMAA大分子链进行印迹, 制备了克仑特罗SSMIP。该SSMIP对克仑特罗具有特异的识别选择性、优良的结合亲和性及洗脱性, 吸附在20min时能达到平衡, 饱和吸附量为15.8mg/g。

　　6 洗脱曲线IIP-PEI/Si O2的洗脱曲线如图8所示, 解吸率可以通过以下方程式进行计算: 解吸率 = 解吸液中金属离子量 /IIP-PEI/Si O2吸附的金属离子量×100% 结果表明, 在13 BV时, 解吸率达到99.04%。表明盐酸溶液对Cr3+的解吸率较高。这可能是因为PEI大分子上的氨基在强酸溶液下质子化 , N原子失去了与重金属离子螯合的能力。7 印迹条件对 IIP-PEI/Si O2的影响3.7.1 模板离子浓度的影响 Cr3+与IIP-PEI/Si O2上N原子的摩尔比通过改变Cr3+溶液的浓度变化, 合成出不同的印迹材料IIP-PEI/Si O2, 图9表明IIP-PEI/Si O2的饱和吸附量随着Cr3+和N原子的摩尔比变化的关系。 图 8 洗脱曲线:0.01 mol/L 的盐酸水溶液 ; 流 速 :1BV/h L;温度:20 ℃