金平废旧硅胶大量收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PIB-b-PMAA（聚异丁烯-聚丙烯酸）是由聚异丁烯（PIB）和聚丙烯酸（PMAA）组成的嵌段共聚物，具有亲水-疏水性两亲结构。PIB部分是疏水性的，赋予了共聚物良好的疏水性，而PMAA部分是亲水性的，能够在水中形成良好的溶解性。由于其两亲性特性，PIB-b-PMAA在物递送、环境保护和涂料等领域中具有重要的应用前景。在物递送方面，PIB-b-PMAA具有广泛的应用潜力。PIB部分可用于载入疏水性物，而PMAA部分能够提供较好的水溶性，使得该共聚物在水溶液中稳定存在。PIB-b-PMAA能够形成胶束或微粒，携带物并实现缓释。是在pH响应性物递送中，PMAA部分在酸性条件下会发生溶胀或溶解，释放物。这使得该材料能够被广泛应用于靶向物递送系统，是在癌症治疗中，物可以在肿瘤区域进行定向释放。

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylamide)聚氧乙烯-b-聚丙烯酰胺PEO-b-PTMEG

　　Poly(ethylene oxide-b-butylene oxide)

　　聚氧乙烯-b-聚氧化丁烯

　　PEO-b-PCL

　　Poly(ethylene oxide-b-ε-caprolactone)

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　　本发明提供了喜树碱前凝胶，它是包含喜树碱前、甲基丙烯酸、交联剂和引发剂的原料通过聚合制备得到的，其中，所述喜树碱前的结构如式ⅰ所示:进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:

　　所述原料的重量配比为:喜树碱前25～100份、甲基丙烯酸400～475份、交联剂26.3～125份、引发剂11.2～22.2份；

　　优选地，所述原料的重量配比为:喜树碱前50～100份、甲基丙烯酸400～475份、交联剂26.3～125份、引发剂11.2～22.2份；

　　在本研究中, 我们在硅胶颗粒表面采用的表面印迹技术改性:首先是功能大分子聚乙烯亚胺 (PEI) 通过耦合接枝法接枝到硅胶颗粒表面;其次, 采用Cr3+作为模板分子, 环氧氯丙烷作为交联剂, 合成出离子 印迹聚合 物 (IIP-PEI/Si O2) 。采用静态及动态法研究了IIP-PEI/Si O2对Cr3+的吸附性能。2.1 材料及仪器 硅胶 (120~160目, 粒径约为125 um, 孔径:6 nm, 孔体积:1.0 m L/g, 表面积:350 m2/g) 从大洋化学有限公司购买。PEI (Mw=1×104~2×104) 从强龙化学有限公司购买。