越秀HDPE回收电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　规格: 100mg  250mg  500mg PS-b-PMAA（聚苯乙烯-聚丙烯酸嵌段共聚物）是一种具有良好响应性的嵌段共聚物。PMAA（聚丙烯酸）是具有酸性基团的聚合物，PS（聚苯乙烯）则是疏水性聚合物。两者的结合使得PS-b-PMAA在许多领域具有的应用。 在材料科学领域，PS-b-PMAA常用于制备响应性纳米材料。PMAA具有可调的酸性基团，这些基团在不同的pH条件下能够发生离子化或去离子化，从而使材料的性质发生变化。因此，PS-b-PMAA被广泛应用于pH响应型材料的开发，是在物递送系统中，PS-b-PMAA可用于制造自组装的纳米颗粒，这些纳米颗粒能够在酸性环境中释放物，从而实现靶向治疗。

　　Poly(isobutylene-b-acrylic acid)聚异丁烯-b-聚丙烯酸PIB-b-PEO

　　Poly(isobutylene-b-ethylene oxide)

　　聚异丁烯-b-聚氧乙烯

　　PIB-b-PMAA

　　Poly(isobutylene-b-methacrylic acid)

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　　Yuan等[14]首先将MAA接枝聚合到硅胶的表面, 然后以苯酚为模板、EGGE为交联剂制备苯酚SSMIP。实验结果表明, 该SSMIP的饱和结合量为160mg/g, 对邻甲酚和氯酚的选择性系数分别高达22和23。杨挺等[15]以3- (异丁烯酰氧) 丙基三甲氧基硅烷为媒介, 将PMAA偶合接枝到硅胶表面。以克仑特罗为模板分子, MAA为单体, EGGE为交联剂, 在甲醇/水溶液中对接枝在硅胶表面的PMAA大分子链进行印迹, 制备了克仑特罗SSMIP。该SSMIP对克仑特罗具有特异的识别选择性、优良的结合亲和性及洗脱性, 吸附在20min时能达到平衡, 饱和吸附量为15.8mg/g。

　　PS-PtBuA-PMMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-methylmethacrylate)

　　PS-PIP-PGMAPoly(styrene-b-isoprene-b-glycidylmethacrylate)

　　PS-P2VP-PEO

　　Poly(styrene-b-2-vinyl pyridine-b-ethyleneoxide)