东莞GPPS回收多少钱一斤

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　方法1:采用水溶液聚合方法合成，原料甲基丙烯酸使用时蒸馏除去阻聚剂，过硫酸铵为引发剂，巯基乙酸为分子量调节剂。将计量的去离子水加到装有电动搅拌器、回流冷凝器、温度计和滴液漏斗的聚合反应器中，将巯基乙酸加入到反应器中与水混合均匀，开动搅拌并升高反应温度。将引发剂用计量的水配成适当的稀溶液置于聚合反应器上的滴液漏斗中，再将计量的甲基丙烯酸(MA)与计量的水配成一定比例的水溶液置于聚合反应器上的另一滴液漏斗中。

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇-羧基PLAL-PEG-MAL

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  LA:AL 50:50

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇-马来酰亚胺

　　PLAL-PEG-Folate

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate  LA:AL 50:50

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　　PS-PBu-PS

　　Poly(styrene-b-Ethylene-butylene-b-styrene)

　　PS-PnBuA-PSPoly(styrene-b-n-butyl acrylate-b-styrene)

　　PS-PtBuA-PS

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-styrene)

　　Methoxy poly(ethyleneglycol)-b-polyethyleneimine聚乙二醇-b-聚乙烯亚胺PCL-b-PEI

　　Poly(ε-caprolactone)-b-polyethyleneimine

　　聚已内酯-b-聚乙烯亚胺

　　PLGA-b-PLL

　　Poly(lactide-co-glycolide)-b-poly(lysine-Zprotected)