开平PPS回收行情

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　Poly(4-vinyl pyridine-b-methylmethacrylate)P2VN-PCL

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-ε-caprolactone)

　　PPO-PCL

　　Poly (propylene oxide-b-ε-caprolactone)

　　PDMS-PnBuA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-n-butyl acrylate)PDMS-PtBuA

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　　7.2 交联反应的物料比在环氧氯丙烷与PEI上氨基的氢原子发生交联反应。交联剂ECH与IIP-PEI/Si O2氨基的H原子的摩尔比通过改变ECH的用量变化, 制得具有不同孔穴结构的不同印迹材料IIP-PEI/SiO 2。IIP-PEI/Si O2上氨基的H原子总量即为N原子数量, 因为在PEI分子中伯胺基、仲胺基、叔胺基的比例为1∶2∶1。因此, ECH与氨基中H原子的摩尔比即为ECH与N原子的摩尔比。图10表明了饱和吸附量和ECH与N原子摩尔比之间的关系。

　　PIB-b-PDMSPoly(isobutylene-b-dimethylsiloxane)

　　聚异丁烯-b-聚二甲基硅氧烷

　　PIB-b-PCL

　　Poly(isobutylene-b-ε-caprolactone)

　　聚异丁烯-b-聚已内酯

　　PIB-b-P4VP

　　Poly(isobutylene-b-4-vinyl pyridine)