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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH
Amino-Hydroxy terminated polylactide
NH2-PCL-OH
Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)
聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇-b-聚乳酸-聚烯丙基丙交酯
PLAL-PEG-NH2
Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Amine LA:AL 50:50聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇-氨基
PLAL-PEG-COOH
Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Acid LA:AL 50:50
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Lv等[11]通过VTTS接枝后聚合MAA, 在硅胶表面覆盖高密度聚合物膜制备SSMIP, 并利用其固相萃取分离鱼样品中的诺氟沙星 (NOR) 。该SSMIP对NOR的大吸附量达423.2μmol/g, 选择性系数为14.64, 吸附在2h左右可达到饱和。Guo等[12]在二氧化硅表面通过VTTS接枝, 以AM为单体, N, N′-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂, 聚乙烯醇 (PVA) 为辅助识别聚合物链 (ARPCs) , 制备了牛血红蛋白 (BHb) SSMIP。吸附动力学研究表明, 将ARPCs引入到印迹聚合物网络中明显改善了SSMIP对BHb的吸附能力。
PIB-b-PMAA(聚异丁烯-聚丙烯酸)是由聚异丁烯(PIB)和聚丙烯酸(PMAA)组成的嵌段共聚物,具有亲水-疏水性两亲结构。PIB部分是疏水性的,赋予了共聚物良好的疏水性,而PMAA部分是亲水性的,能够在水中形成良好的溶解性。由于其两亲性特性,PIB-b-PMAA在物递送、环境保护和涂料等领域中具有重要的应用前景。在物递送方面,PIB-b-PMAA具有广泛的应用潜力。PIB部分可用于载入疏水性物,而PMAA部分能够提供较好的水溶性,使得该共聚物在水溶液中稳定存在。PIB-b-PMAA能够形成胶束或微粒,携带物并实现缓释。是在pH响应性物递送中,PMAA部分在酸性条件下会发生溶胀或溶解,释放物。这使得该材料能够被广泛应用于靶向物递送系统,是在癌症治疗中,物可以在肿瘤区域进行定向释放。