台山PA原料上门收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　方法1:采用水溶液聚合方法合成，原料甲基丙烯酸使用时蒸馏除去阻聚剂，过硫酸铵为引发剂，巯基乙酸为分子量调节剂。将计量的去离子水加到装有电动搅拌器、回流冷凝器、温度计和滴液漏斗的聚合反应器中，将巯基乙酸加入到反应器中与水混合均匀，开动搅拌并升高反应温度。将引发剂用计量的水配成适当的稀溶液置于聚合反应器上的滴液漏斗中，再将计量的甲基丙烯酸(MA)与计量的水配成一定比例的水溶液置于聚合反应器上的另一滴液漏斗中。

　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD

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　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-叶酸

　　PLAL-mPEG

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)   LA:AL 50:50

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇PLAL-PEG-PLAL

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Poly(lactide-co-allyl lactide) LA:AL 50:50

　　孙宝维等就模板结构与分子印迹效果间关系提出:大多只有一个性基团的化合物,与功能单体作用的数目较少,不易产生印迹效应;一般含多个性基团,少数含一个性基团并具有一个大的疏水结构的化合物在印迹过程中表现出协同效应;具有多个性基团,而且同时具备部分刚性和柔性结构的化合物,可地与功能单体作用。2.2 功能单体的选择 在制备分子印迹聚合物过程中,选择合适功能单体种类及与模板分子的配比,下面是几种筛选功能单体的方法。