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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。

　　Au24（SCH2Ph-tBu）20金纳米团簇Au44(SCH3)28手性金纳米团簇

　　刀豆求蛋白修饰金纳米团簇

　　半胱氨酸修饰金纳米团簇Au25Cys18

　　DHLA-AuNCs二氢硫辛酸保护金纳米团簇

　　巯基琥珀酸保护金纳米团簇

　　聚(N-乙烯基咪唑)配体金纳米团簇

　　树枝状聚合物PAMAM修饰金纳米团簇

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　　Poly(dimethylsiloxane-b-t-butyl acrylate)

　　PDMS-PHEA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-hydroxy ethylacrylate)

　　PDMS-PMMA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-methylmethacrylate)PDMS-PtBuMA

　　紫外光谱法根据紫外光谱原理,当价电子与氢原子形成氢键后,电子的能量会发生变化。同时张力或偶作用迫使分子轨道发生扭曲变形,电子跃迁概率发生变化,导致吸光度发生变化。因此,根据紫外光谱的变化,可推测模板分子与功能单体间相互作用强度和复合比例等有关信息。 (2)核磁共振法 核磁共振光谱法(NMR)可以提供有关确切作用位点和作用强度的大量信息,是一种更具潜力且准确的筛选方法。模板分子与功能单体相互作用,分子间氢键对模板分子的活泼氢产生强烈束缚作用并使其屏蔽作用变小。通过核磁共振技术测定溶液中功能单体对活泼氢化移的影响,从而找出佳的功能单体和佳的配比。