香洲废PE塑胶长期回收

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-叶酸

　　PLAL-mPEG

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)   LA:AL 50:50

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇PLAL-PEG-PLAL

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Poly(lactide-co-allyl lactide) LA:AL 50:50

　　规格: 100mg  250mg  500mg PS-b-PMAA（聚苯乙烯-聚丙烯酸嵌段共聚物）是一种具有良好响应性的嵌段共聚物。PMAA（聚丙烯酸）是具有酸性基团的聚合物，PS（聚苯乙烯）则是疏水性聚合物。两者的结合使得PS-b-PMAA在许多领域具有的应用。 在材料科学领域，PS-b-PMAA常用于制备响应性纳米材料。PMAA具有可调的酸性基团，这些基团在不同的pH条件下能够发生离子化或去离子化，从而使材料的性质发生变化。因此，PS-b-PMAA被广泛应用于pH响应型材料的开发，是在物递送系统中，PS-b-PMAA可用于制造自组装的纳米颗粒，这些纳米颗粒能够在酸性环境中释放物，从而实现靶向治疗。

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　　Poly(methyl methacrylate-b-methacrylicacid)聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸PtBMA-b-PEO

　　Poly(t-butyl methacrylate-b-ethylene oxide)

　　聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚氧乙烯

　　PMMA-b-PAA

　　Poly(methyl methacrylate-b-Acrylic Acid)

　　实施例4cpt-cc-m的制备在氮气气氛下，将喜树碱(0.70g，2mmol)和三光气(0.2g，0.66mmol)共混于50ml无水二氯甲烷中，随后加入4-二甲氨基吡啶(0.73g，6mmol)，搅拌反应1小时。接着将hdoma(0.47g，2.5mmol)溶于10ml无水四氢呋喃中，逐滴加入到上述反应液中。室温下反应24小时后，过滤反应混合物，以除去不溶性盐；旋转蒸发除去溶剂。将残余物重新溶解在二氯甲烷中，分别用稀盐酸(100mmol/l)、水、饱和氯化钠溶液分别洗涤两次。收集有机层，并用无水硫酸镁干燥。浓缩上清液，以二氯甲烷/甲醇(200/1，v/v)作为洗脱液，通过二氧化硅硅胶柱分离纯化，获得淡黄的供聚合用的喜树碱单体(cpt-cc-m)。1hnmr(cdcl3，δ，ppm，tms):8.41(s，1h)，8.24(d，1h)，7.95(d，1h)，7.84(m，1h)，7.68(m，1h)，7.36(s，1h)，6.08(s，1h)，5.31(d，2h)，4.42-4.33(m，4h)，3.07-2.80(m，4h)，2.33-2.12(m，2h)，1.91(s，3h)，1.01(m，3h)。esi-msm/z:计算值为561.60；实测值为561.60[m+h]+。