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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　负载DOX**的MOF纳米粒子高核过渡—稀土混金属纳米团簇

　　苯硒酚修饰金纳米团簇（Se_Au NCs）

　　黄原酸功能化亲水聚合物修饰荧光金纳米团簇

　　Cd修饰的Au19Cd2(SR)16

　　钴/金双金属纳米团簇(GSH@Co-AuNCs)

　　GSH包覆纳米团簇改性N-(4-氨基丁基)-乙基异鲁米诺(ABEI)的复合材料GSH@Co AuNCs ABEI

　　实施例6、7、10～12中交联剂的用量分别占原料总质量的10％、5％、15％、20％。经比较可以看出，随着交联剂用量的增加，制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大，接枝率也有所提升。实施例13还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-8的制备

　　将cpt-ss-m(25mg)，甲基丙烯酸(475mg)，甲叉双丙烯酰胺(55.6mg)和偶氮二异丁腈(16.8mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为94.3±1.2％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为423±7nm，电位为-21.5±1.4mv。

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　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。

　　填充剂和改性剂:PPMA浆料可以通过添加填料和改性剂来调整其性能，用于增强材料的强度和刚度。聚丙烯酸甲酯浆料的制法一般是通过聚合反应来合成。将丙烯酸甲酯单体与引发剂和助剂等混合，然后进行聚合反应，得到聚丙烯酸甲酯浆料。

　　避免接触皮肤和眼睛:PPMA浆料具有刺激性，可能引起过敏反应。在操作过程中要使用个人防护装备，如手套、护目镜等。

　　避免长时间吸入气体:聚合过程中产生的气体可能对呼吸系统有害，应保持通风良好的工作环境，并佩戴适当的呼吸防护设备。