惠东工厂废塑料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　孙宝维等就模板结构与分子印迹效果间关系提出:大多只有一个性基团的化合物,与功能单体作用的数目较少,不易产生印迹效应;一般含多个性基团,少数含一个性基团并具有一个大的疏水结构的化合物在印迹过程中表现出协同效应;具有多个性基团,而且同时具备部分刚性和柔性结构的化合物,可地与功能单体作用。2.2 功能单体的选择 在制备分子印迹聚合物过程中,选择合适功能单体种类及与模板分子的配比,下面是几种筛选功能单体的方法。

　　PBd-b-PLLAPoly(butadiene(1,2 addition)-b-lactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-PDLLA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-D,Llactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-P4VP

　　Poly(butadiene(1,4 addition)-b-4-vinylpyridine)

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　　PMA在医疗领域的应用也日益广泛。由于其制成的聚合物材料具有良好的生物相容性和透明度，PMA被用于制造多种医疗器械和用品，如隐形眼镜、牙科填充材料和人工关节等。是在隐形眼镜的制造中，PMA制成的镜片具有的透氧性和舒适性，为用户提供了的佩戴体验。在电子工业中，PMA被用作电器元件的保护涂层。其的缘性能和耐化学腐蚀性，使得PMA成为电子元件保护涂层的理想选择。通过在电路板和其他电子元件表面涂覆PMA，可以有效环境因素对电子元件的损害，延长其使用寿命。

　　分子印迹纳米材料纳米材料是指三维尺度中有一维以上处于纳米量级(1～100nm),即由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。纳米材料与传统材料相比有较低的熔点、较小的体积、巨大的比表面积、强化学活性和催化活性,此外其还有的比热、光学、电学、磁学、力学等一系列优良的性能。 分子印迹技术利用纳米材料巨大的比表面积制备印迹聚合物,可以充分地暴露印迹识别位点,大大减少吸附过程当中的传质阻力,增强吸附过程的动力学特征,进而提高吸附量。纳米分子印迹聚合物的形式主要为纳米粒子、纳米管和纳米膜。张忠平等以硅为基质通过溶胶凝胶反应分别制得了对TNT有特异性识别的纳米粒子。其制得的纳米粒印迹材料的印迹位点密度大约为普通印迹材料的5倍。其动力学研究表面,纳米印迹粒子达到平衡所用的时间也只为普通印迹材料的1/3。