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　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　聚醋酸乙烯酯接枝聚苯乙烯(PVAc-g-PSt)复合微球:通过链转移自由基聚合和端基置换反应制备了苯乙烯单封端的 PVAc大分子单体,用凝胶渗透谱(GPC),傅里叶变换红外光谱(FTIR)等对大分子单体的分子量,分子量分布与结构组成进行了测定,发现PVAc 大分子单体的结构明确,分子量在104左右.以得到的PVAc大分子单体为反应性分散稳定剂,一定比例的乙醇/水为反应介质,采用分散共聚法制得了核为聚 苯乙烯(PSt),壳为聚醋酸乙烯酯(PVAc)大分子链的聚醋酸乙烯酯接枝聚苯乙烯(PVAc-g-PSt)核壳结构复合微球.

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　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PS-b-PAMD

　　Poly(styrene-b-acrylamide)聚苯乙烯-b-聚丙烯酰胺

　　PS-b-PAA

　　Poly(styrene-b-acrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸

　　PS-b-PACs

　　Poly(styrene-b-cesium acrylate)

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基PCLA-PEG-NHS

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-NHS  CL:LA  50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-活化脂

　　PCLA-PEG-Folate

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate  CL:LA  50:50