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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　纳米管印迹膜一种印迹孔穴具有纳米管形状的分子印迹聚合物膜。纳米管印迹膜的出现标志着分子印迹技术又有了新的突破。这种膜的制备是由王小如研究组首先提出的,他们将表面引发原子转移自由基聚合(ATRP)和分子印迹技术原理相结合,使用多孔阳氧化铝薄膜(AAO)为载体膜并用32氨基丙基三甲氧硅烷进行表面硅烷化处理,将ATRP引发剂22溴222甲基丙酰溴接枝到AAO的表面,然后与金属有机催化剂1、4、8、112四氮杂萘并苯铜、功能单体42乙烯吡啶、印迹分子β2雌二醇或孕酮和交联剂的乙腈溶液混合,在N2保护下进行热聚合得到聚合物膜,除去印迹分子后形成纳米管印迹膜。结果表明,这种结合位点具有纳米级的孔径和几纳米管壁厚度的印迹膜对目标分子具有高选择性、高亲和性、高容量和的结合能力。

　　PnBuA-b-PAAPoly(N-butylacrylate-b-acrylic acid)聚丙烯酸正丁酯-b-聚丙烯酸

　　PANa-b-PMMA

　　Poly(Sodium Acrylate-B-Methyl Methacrylate)

　　聚丙烯酸钠-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PMMA-b-PMAA

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　　HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH

　　Amino-Hydroxy terminated polylactide

　　NH2-PCL-OH

　　Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)

　　状态:固体/粉末/溶液规格: 100mg  250mg  500mg PtBA–PMAA聚丙烯酸叔丁酯嵌段共聚物 杭州新乔生物科技有限公司是国内的高分子聚合物合成厂家，我公司可以提供各种不同的聚合物的嵌段共聚，有均聚物，嵌段共聚物，星形聚合物等，聚合物包括有PEG、PLGA、PLA、PCL、PS、PLL，PtBA，PMMA，PAA，P4VP，P2VP，PNIPAAm， PEI、以及其他基团或者多肽聚合物，种类多，可提供定制服务。 我们提供的不仅仅是产品，更是服务的开始: