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1942年,英国Eisler发明印刷电路板 [39],重铬酸盐感光材料作为光敏抗蚀剂用于制造印刷线路板。重铬酸在紫外光作用下还原成三价铬离子,三价铬离子可和水溶性聚合物中的羰基、胺基、羟基等作用形成不溶的配位络合物。
1943年,美国杜邦公司提交了世界第一份有关光引发剂的发明专利,尽管这种二硫代氨基甲酸酯化合物感光活性较低,后来也未能转化为实际应用,但确实开启了一种全新的聚合物材料加工技术。
1948年,美国专利中出现第一个光固化油墨配方和实施技术的专利。
1949年德国Kalle公司首先开发成功紫外正性光刻胶。
1954年,由柯达公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为第一个光固化性能的光刻胶 [39],牌号KPR。先用于印刷工业,后用于电子工业。
1958年,柯达公司发展出了叠氮-橡胶系的负性光刻胶 ,牌号为KMER和KTFR。
4 IIP-PEI/Si O2对 Cr3+离子的静态吸附表征3.4.1 动力学吸附曲线 动力学吸附曲线如图4所示。 IIP-PEI/Si O2对Cr3+离子的吸附速度较快, 吸附在30 min时达到平衡。这种的吸附平衡不只 是因为IIP-PEI/Si O2上对Cr3+的印迹孔穴, 也可能是因为薄印迹聚合物层扩散膜较小的阻力导致Cr3+离子更容易进入孔穴, 与识别点结合。2 吸附等温线图5和图6是PEI/Si O2和IIP-PEI/Si O2对Cr3+、Zn2+和Pb2+离子的吸附等温线。从图中可以看出: (1) 当金属离子的平衡浓度达到一定值时, 等温吸附量发生变化, 吸附达到饱和, 该类吸附因为是化学吸附, 所以为典型的单层朗格缪尔吸附模型; (2) 在离子印迹之前PEI/Si O2对Cr3+的饱和吸附量仅为6.14 mg/g, 但是印迹后的IIP-PEI/Si O2的饱和吸 附量为10。14mg/g。很明显, 与PEI/Si O2相比, 饱和吸附量增长了接近两倍。这说明, 在离子印迹之后, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的亲和力显著改善。吸附量明显增长的原因是, 大量的与模板离子Cr3+形成了具有互补形状及空间形状官能团的孔穴; (3) 尽管PEI/Si O2对Zn2+和Pb2+离子的吸附量明显高于Cr3+, 区别不大, 但是IIP-PEI/Si O2对Zn2+和Pb2+的吸附量明显小于Cr3+。以上结论充分说 明I-P-PEI/Si O2对Cr3+具有高的亲和力及高的识别力, 对Cr3+具有的选择性。相关数据在表1中给出。
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PBd-b-PLLAPoly(butadiene(1,2 addition)-b-lactide)
聚丁二烯-b-聚乳酸
PBd-b-PDLLA
Poly(butadiene(1,2 addition)-b-D,Llactide)
聚丁二烯-b-聚乳酸
PBd-b-P4VP
Poly(butadiene(1,4 addition)-b-4-vinylpyridine)
聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇-叶酸PCLA-mPEG
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol) CL:LA 50:50
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇
PCLA-PEG-NH2
Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Amine CL:LA 50:50