广州亚克力废料回收报价

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　指将物溶解在与水不混溶的有机溶剂中，聚合物可以溶解在有机相或水相，在搅拌的条件下将有机相加入水相，然后抽真空将有机相挥发。4、 溶剂挥发法

　　指将物和聚合物溶解于易挥发的有机溶剂中，再将有机溶剂挥去，形成聚合物物膜,然后通过剧烈搅拌将膜重新分散在水中。

　　指将物和聚合物溶于可用于冻干的有机溶剂(一般是叔丁醇) 后，再与水混合，冻干后聚合物胶束分散于等渗的水性介质中。

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylamide)聚氧乙烯-b-聚丙烯酰胺PEO-b-PTMEG

　　Poly(ethylene oxide-b-butylene oxide)

　　聚氧乙烯-b-聚氧化丁烯

　　PEO-b-PCL

　　Poly(ethylene oxide-b-ε-caprolactone)

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　　聚苯乙烯-b-聚羟基苯乙烯PCMS-b-PtBuA

　　Poly(p-chloromethyl styrene-b-t-butylacrylate)

　　聚对氯甲基苯乙烯-b-聚丙烯酸丁酯

　　P2VN-b-PDMS

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b-Dimethylsiloxane)

　　P2Vn-b-PnBuA

　　Poly(methyl methacrylate-b-2-hydroxyethylmethacrylate)聚甲基丙烯酸-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯

　　PtBuA-b-P4VP

　　Poly(t-butyl acrylate-b-4-vinylpyridine)

　　聚丙烯酸叔丁酯-b-聚乙烯基吡啶

　　PtBuMA-b-P2VP