保税一次性橡胶手套回收厂家电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。

　　Poly(styrene-b-2-hydroxyethyl methacrylate)聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯

　　PS-b-PHPMA

　　Poly(styrene-b-2-hydroxypropylmethacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟丙酯

　　PS-b-P4HOS

　　Poly(styrene-b-4-hydroxyl styrene)

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　　聚氧乙烯-b-聚已内酯

　　PEO-b-PLLA

　　Poly(ethylene oxide-b-Lactide)聚氧乙烯-b-聚乳酸

　　PEO-b-PDLLA

　　Poly(ethylene oxide-b-D,Lactide)

　　聚氧乙烯-b-聚乳酸

　　PEO-PMAA

　　Poly(ethyleneoxide-b-methacrylic acid)

　　高量子产率金纳米团簇(CR-AuNCs)水溶性手性金纳米团簇(L-NIBC-AuNCs和D-NIBC-AuNCs)平均粒径小于2 nm

　　金纳米团簇-NFC复合物siRNA(GNC–siRNA)

　　剥离型环氧树脂/纳米复合材料

　　小粒径四氧化三铁纳米团簇

　　聚丙烯酸(PAA)修饰四氧化三铁纳米团簇(Fe3O4NCs)