大涌PPS废料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯PS-b-PnBuMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl styrene)

　　聚苯乙烯-b-聚丁基苯乙烯

　　PS-b-PCL

　　Poly(styrene-b-ε-caprolactone)

　　聚苯乙烯-b-聚已内酯

　　PS-b-PHEMA

　　仪器:Unic-2602紫外分光光度计 , 1700红外光谱 仪 , PHS-2酸度计。2.2 PEI 和重金属离子螯合反应的测定 2.2.1 电导滴定 将一定量的PEI烘干至恒重, 溶于水中, 将溶液转移至容量瓶中, 用蒸馏水稀释至标线, 配制摩尔浓度为20 mmol/L的PEI溶液 (单体的摩尔浓度单位) 。分别配制摩尔浓度为20mmol/L的Cr3+、Pb2+、Zn2+溶液。用移液管移取5 m L的上述溶液, 分别加入锥形瓶中, 溶液的p H用缓冲溶液调节至约6。用PEI溶液滴定离子溶液, 采用数字电导率仪记录滴定过程中溶液电导率的变化, 记下消耗的PEI溶液。

　　大涌PPS废料回收公司

　　反应率:n (ECH) ∶n (N) =0.51;反应温度:20 ℃;反应时间:60 min反应率:n (Cr3+) ∶n (N) =0.20;反应温度:20 ℃;反应时间:60 min 从图9中可以看出, 饱和吸附量随着Cr3+的量而增加, 这可能是因为当Cr3+的用量增加, Si O2表面的聚合物印迹孔穴增加, 所以IIP-PEI/Si O2的饱和吸附量增加。当n (Cr3+) ∶n (N) =0.2时, 出现了一个转折点 , 在这个转 折点之后 , IIP-PEI/Si O2的吸附量增加。这表明在n (Cr3+) ∶n (N) =0.33的条件下, PEI/Si O2上的N原子都与Cr3+发生了螯合, 在印迹过程中形成了大量的孔穴, 因此, 当Cr3+离子继续增加时, 孔穴量增加。Cr3+和N原子的理 论摩尔比 为0.17, 当PEI/Si O2的N原子与与Cr3+配位 (PEI与Cr3+有六个配体) , 0.2到0.17的偏差归因于当平衡状态下螯合时, 溶液中仍然存在Cr3+离子。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-羧基

　　PLCL-PEG-NH2

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Amine   LA:CL 50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PLCL-PEG-Folate

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-Folate   LA:CL 50:50