石龙PC塑胶原料回收公司

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　本发明涉及喜树碱前凝胶及其制备方法和用途，属于医领域。作为主要的恶性疾病之一，癌症严重威胁着人类的健康，并导致医疗负担逐年大幅增加。化疗是常用和有效的治疗方法之一，但目前尚未开发出对肿瘤组织具有良好治疗效果且对正常组织毒性低的理想化疗物。喜树碱(cpt)是一种五环喹啉类生物碱物，具有的抗肿瘤作用，在结肠癌，肺癌，乳腺癌，卵巢癌，黑素瘤和其他癌症中展现出的治疗效果。cpt主要抑制核内酶拓扑异构酶i(dna复制和转录过程所的)的活性，从而dna链的连接，导癌细胞死亡。然而，因其固有的高毒性、水溶性差和结构不稳定的缺陷，cpt的应用受到大限制。

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　　Gong等[8]将乙烯基三乙氧基硅烷 (VTES) 嫁接到硅胶表面, 以青蒿素为模板, 丙烯酰胺 (AM) 和MAA为功能单体, EGDMA为交联剂, 通过2, 2-偶氮-2-异丁腈 (AIBN) 热引发聚合制备了青蒿素SSMIP。该SSMIP吸附在约10h达到平衡, 大吸附容量为37.13 mg/g, 对结构类似物蒿甲醚、蒿乙醚的分离系数分别为2.88和3.38。笔者课题组以对叔辛基苯酚 (PTOP) 为模板、MAA为单体, 活化硅胶为载体, 制备了PTOP-SSMIP[9]。该SSMIP对PTOP具有较大的吸附容量和良好的选择性, 其大吸附量约为86.12mg/g。同时在通过水解TEOS制得的二氧化硅微粒表面, 以乙烯基三甲氧基硅烷 (VTTS) 为接枝剂, 壬基酚 (NP) 为模板, MAA为功能单体, 制备了NP-SSMIP (如图1所示) [10]。该SSMIP对NP具有良好的结合亲和性, 大结合量可达184.6mg/g, 明显高于其结构类似物对叔辛基苯酚和双酚A, 表现出较高的选择性识别能力, 且与在市售硅胶 (70~230目) 表面制备的壬基酚和双酚A印迹聚合物的大吸附量 (壬基酚3.8mg/g, 双酚A 60.03mg/g、37.13mg/g) 相比均有明显的提高。这主要得益于TEOS水解制备的二氧化硅微粒粒径小且分散性好, 有效增大了SSMIP的比表面积, 从而使所制备的印迹微球对目标物有较高的吸附容量。

　　分子印迹纳米材料纳米材料是指三维尺度中有一维以上处于纳米量级(1～100nm),即由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。纳米材料与传统材料相比有较低的熔点、较小的体积、巨大的比表面积、强化学活性和催化活性,此外其还有的比热、光学、电学、磁学、力学等一系列优良的性能。 分子印迹技术利用纳米材料巨大的比表面积制备印迹聚合物,可以充分地暴露印迹识别位点,大大减少吸附过程当中的传质阻力,增强吸附过程的动力学特征,进而提高吸附量。纳米分子印迹聚合物的形式主要为纳米粒子、纳米管和纳米膜。张忠平等以硅为基质通过溶胶凝胶反应分别制得了对TNT有特异性识别的纳米粒子。其制得的纳米粒印迹材料的印迹位点密度大约为普通印迹材料的5倍。其动力学研究表面,纳米印迹粒子达到平衡所用的时间也只为普通印迹材料的1/3。