古镇亚克力塑胶长期回收

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　分子印迹纳米材料纳米材料是指三维尺度中有一维以上处于纳米量级(1～100nm),即由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。纳米材料与传统材料相比有较低的熔点、较小的体积、巨大的比表面积、强化学活性和催化活性,此外其还有的比热、光学、电学、磁学、力学等一系列优良的性能。 分子印迹技术利用纳米材料巨大的比表面积制备印迹聚合物,可以充分地暴露印迹识别位点,大大减少吸附过程当中的传质阻力,增强吸附过程的动力学特征,进而提高吸附量。纳米分子印迹聚合物的形式主要为纳米粒子、纳米管和纳米膜。张忠平等以硅为基质通过溶胶凝胶反应分别制得了对TNT有特异性识别的纳米粒子。其制得的纳米粒印迹材料的印迹位点密度大约为普通印迹材料的5倍。其动力学研究表面,纳米印迹粒子达到平衡所用的时间也只为普通印迹材料的1/3。

　　该纳米凝胶的谷胱甘肽还原响应性能的表征结果如图4所示。可以发现，用10mmgsh处理48h后，p(cpt-maa)前纳米凝胶的蓝荧光消失，表明cpt可以被gsh刺激释放。而非还原响应的p(cpt-maa)纳米凝胶相同处理后，蓝荧光没有消失。此外，通过hplc分析与10mmgsh孵育后的p(cpt-maa)前纳米凝胶的介质，可以发现与游离cpt相同保留时间的峰出现，表明从p(cpt-maa)前纳米凝胶中释放出cpt。这与cpt-ss-m与10mmgsh孵育时的现象相同。表明了该p(cpt-maa)前纳米凝胶具有良好的谷胱甘肽还原性能。

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　　PS-PCL-PS

　　Poly(styrene-b-ε-caprolactone-b-styrene)

　　P2VP-PBd-P2VPPoly(2-vinylpyridine-b-butadiene(1,2addition)-b-2-vinylpyridine)

　　P2VP-PS-P2VP

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-styrene-b-2-vinylpyridine)

　　PEO-PBd-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-butadiene-b-ethyleneoxide)

　　PS-PAA-PSPoly(styrene-b-acrylic acid-b-styrene)

　　PS-PBd-PS

　　Poly(styrene-b-butadiene (1,4 addition)-b-styrene)