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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

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　　HPMA（Hydrolyzed Polymaleic Anhydride，水解聚马来酸酐）和 PAA（Polyacrylic Acid，聚丙烯酸）都是常用于水处理领域的聚合物，但它们的用途和性能存在一些区别。以下是 HPMA 与 PAA 在用途上的主要区别:1. 阻垢性能 HPMA 在高温下具有的阻垢性能，尤其对碳酸钙、硫酸钙、磷酸钙等盐类的阻垢，因此常用于高温、高压系统中，如锅炉水处理、蒸发设备和海水淡化系统。

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　　以下通过试验例明本发明的有益效果。试验例1物释放实验

　　通过透析法用于研究纳米凝胶的物释放行为。简言之，将制备好的p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)分别分散，并超声助溶到不同ph值(ph＝7.4，ph＝6.4，ph＝5.0)的1ml磷酸盐缓冲溶液中。然后转移到预先浸润的透析袋中(mwco＝14000)。之后将透析袋浸入到40ml含有不同浓度的谷胱甘肽的的pbs溶液(0，2μm，2mm和10mm)中，释放实验条件为37℃，100转/分钟。在预定的时间点，首先收集5ml释放介质，弃去其他释放介质，然后加入预热的新鲜释放介质。使用hplc测定释放介质中cpt的浓度，每个实验重复三次。释放实验结果如图6所示。

　　Altuglas BS 150N 丙烯酸 ((佰塑公司-总代理商)pmma系列 ) 纯度高; 高分子量; 可分散 涂层应用; 牙齿应用领域; 铸模/模具/工具Altuglas BS 203 丙烯酸 ((佰塑公司-总代理商)pmma系列 ) 低分子量; 共聚物 Paint; 粘合剂

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