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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:所述反应溶剂为乙腈；

　　所述保护气氛为氮气氛；

　　将反应混合物加热至沸腾状态进行反应；

　　反应时间为2小时；

　　待反应结束后，收集反应混合物，离心，即得喜树碱前凝胶；

　　优选地，以1×104转/分钟的转速离心10分钟；

　　还包含如下纯化步骤:取喜树碱前凝胶，加入乙腈，超声分散均匀，离心；

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　　3 结果与讨论3.1 PEI 与 Cr3+的配位过程 根据2.2.1所述过程, 5 m L相同浓度的Cr3+、Pb2+、Zn2+溶液用PEI溶液滴定, 电导率随消耗PEI溶液的体积的变化结果如图1所示。可以得到以下结论: (1) 在滴定过程中, 电导率随着PEI溶液的消耗而增加, 因为PEI与金属离子发生了螯合反应; (2) 对于Cr3+离子, 当PEI消耗量约为30 m L时, 出现了一个明显的转折点; (3) 对于Pb2+和Zn2+离子溶液, 当PEI用量约为20 m L时, 明确的转折点在不同的曲线上出现。说明PEI与Cr3+、Pb2+和Zn2+离子发生了螯合, 化学计量表明PEI和Cr3+比例为6∶1时, 形成了与四个配体的螯合。

　　方法1:采用水溶液聚合方法合成，原料甲基丙烯酸使用时蒸馏除去阻聚剂，过硫酸铵为引发剂，巯基乙酸为分子量调节剂。将计量的去离子水加到装有电动搅拌器、回流冷凝器、温度计和滴液漏斗的聚合反应器中，将巯基乙酸加入到反应器中与水混合均匀，开动搅拌并升高反应温度。将引发剂用计量的水配成适当的稀溶液置于聚合反应器上的滴液漏斗中，再将计量的甲基丙烯酸(MA)与计量的水配成一定比例的水溶液置于聚合反应器上的另一滴液漏斗中。