望牛墩PP废料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PS-COOHCarboxy Terminated Polystyrene

　　Hydroxy Terminated Polystyrene

　　Thiol Terminated Polystyrene

　　PS-Alkyne

　　Polystyrene, Alkyne-terminated

　　PS-PEO-MAL

　　实施例9还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-4的制备将cpt-ss-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，甲叉双丙烯酰胺(55.6mg)和偶氮二异丁腈(22.2mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为94.1±0.8％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为537±3nm，电位为-20.7±1.9mv。

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　　聚氧乙烯-b-聚已内酯

　　PEO-b-PLLA

　　Poly(ethylene oxide-b-Lactide)聚氧乙烯-b-聚乳酸

　　PEO-b-PDLLA

　　Poly(ethylene oxide-b-D,Lactide)

　　聚氧乙烯-b-聚乳酸

　　PEO-PMAA

　　Poly(ethyleneoxide-b-methacrylic acid)

　　Barahona等[18]以噻苯咪唑 (TBZ) 为模板, 在二氧化硅颗粒表面固定引发转移终止剂, 通过活性可控自由基接枝聚合法制备SSMIP。他们将制得的SSMIP材料液作为谱固定相, 与通过沉淀聚合法制备的具有小粒径分布和核-壳形貌的印迹聚合物微球做了对比研究, 结果表明该方法具有简单、直接、所需试剂量少等优势。Li等[19]采用可逆加成-断裂链转移试剂功能化硅胶作为链转移剂, 通过表面引发可逆加成-断裂链转移 (RAFT) 聚合, 将MIP (分子印迹聚合物) 嫁接到硅胶颗粒表面, 制备了茶碱SSMIP吸附剂 (如图3所示) 。他们利用可逆加成-断裂链转移可控/活性聚合机理的内在特性对嫁接过程进行有效控制。在模板分子存在下, MAA和二乙烯基苯的接枝共聚可以在硅胶表面形成纳米级MIP薄膜 (膜厚约1.98nm) 。与本体聚合制备的茶碱MIP相比, SSMIP的传质性能明显改善。将SSMIP用于固相萃取, 其对血清中的茶碱的加标回收率在90%以上。