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　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PCLA-PEG-MAL

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  CL:LA  50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-马来酰亚胺

　　PCLA-PEG-COOH

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Acid  CL:LA  50:50

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　　本发明提供的喜树碱前凝胶是以喜树碱前和甲基丙烯酸为单体，在交联剂作用下通过交联聚合反应制备得到的pmaa纳米凝胶。pmaa纳米凝胶中存在大量羧基，可抵抗由于负电荷引起的非特异性蛋白质吸附，这使它在正常的生理环境中保持稳定。但其在肿瘤组织或肿瘤细胞的低ph环境中可以迅速缩小至较小的体积，从而容易穿透至深部肿瘤组织并导致物释放。基于此，本发明喜树碱前凝胶具有良好的ph响应性能。另一方面，通过向喜树碱的结构中引入二硫键形成前，并进一步作为单体制备pmaa纳米凝胶，不仅提高了物的稳定性，避免出现物泄漏的情况，而且还使得纳米凝胶具备了氧化还原响应性，赋予其生物降解性和更快的物释放能力。

　　分子印迹技术一般包括以下几个步骤:①在一定溶剂中,具有适当功能基团的功能单体通过与模板分子间的相互作用聚集在模板分子周围,形成稳定的复合物。②加入交联剂后,过量的交联剂使得功能单体上的功能基团在特定的空间取向上固定。③将聚合物中的印迹分子洗脱或解离出来得到分子印迹聚合物(见下图)。2 分子印迹聚合物及其制备 分子印迹聚合物是分子印迹技术的核心。简单地说,它是一种人工合成的利用分子印迹技术制备的高分子聚合物。该聚合物拥有与模板分子大小和形状相匹配的立体孔穴,同时孔穴中包含了排列的与特定结构的模板分子官能团互补的活性基团。所以分子印迹聚合物具有特异“记忆”功能基团。MIP的制备方法通常有本体聚合、沉淀聚合、表面印迹、溶胶凝胶、两步溶胀等方法。