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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　PEI 在Si O2上的接枝量:3.81 g/100 g;温度:20 ℃;时间:30 min;p H:7PEI/Si O2的 BV 柱:2 m L;温度:20 ℃;初始浓度:100 mg/L;流速:5 BV/h 3.5 动力学吸附曲线 PEI/SiO 2和 IIP-PEI/Si O2对Cr3+的动力学吸附曲线如图7所示。当Cr3+溶液通过PEI/Si O2柱, 渗透出现在2 BV, 渗透吸附量为2.32 mg/g, 饱和吸附量为6.06 mg/g。动力吸附量与静态吸附量相似。当Cr3+溶液通过IIP-PEI/Si O2柱时, 渗透出现在4 BV, 渗透吸附量为5.24 mg/g, 饱和吸附量为9.94 mg/g。很明显, 在离子印迹后, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的亲和力明显增加。

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　　聚苯乙烯-b-聚羟基苯乙烯PCMS-b-PtBuA

　　Poly(p-chloromethyl styrene-b-t-butylacrylate)

　　聚对氯甲基苯乙烯-b-聚丙烯酸丁酯

　　P2VN-b-PDMS

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b-Dimethylsiloxane)

　　P2Vn-b-PnBuA

　　实施例6～9中引发剂的用量分别占原料总质量的3％、3％、2％、4％。经比较可以看出，随着引发剂用量的增加，制备得到p(cpt-maa)纳米凝胶的粒径随之增大，接枝率也有所提升。实施例10还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-5的制备

　　将cpt-ss-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，甲叉双丙烯酰胺(26.3mg)和偶氮二异丁腈(15.8mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为90.2±0.6％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为385±6nm，电位为-19.5±0.9mv。