东区TPU塑胶回收公司

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　7.2 交联反应的物料比在环氧氯丙烷与PEI上氨基的氢原子发生交联反应。交联剂ECH与IIP-PEI/Si O2氨基的H原子的摩尔比通过改变ECH的用量变化, 制得具有不同孔穴结构的不同印迹材料IIP-PEI/SiO 2。IIP-PEI/Si O2上氨基的H原子总量即为N原子数量, 因为在PEI分子中伯胺基、仲胺基、叔胺基的比例为1∶2∶1。因此, ECH与氨基中H原子的摩尔比即为ECH与N原子的摩尔比。图10表明了饱和吸附量和ECH与N原子摩尔比之间的关系。

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　　负载DOX**的MOF纳米粒子高核过渡—稀土混金属纳米团簇

　　苯硒酚修饰金纳米团簇（Se_Au NCs）

　　黄原酸功能化亲水聚合物修饰荧光金纳米团簇

　　Cd修饰的Au19Cd2(SR)16

　　钴/金双金属纳米团簇(GSH@Co-AuNCs)

　　GSH包覆纳米团簇改性N-(4-氨基丁基)-乙基异鲁米诺(ABEI)的复合材料GSH@Co AuNCs ABEI

　　Au24（SCH2Ph-tBu）20金纳米团簇Au44(SCH3)28手性金纳米团簇

　　刀豆求蛋白修饰金纳米团簇

　　半胱氨酸修饰金纳米团簇Au25Cys18

　　DHLA-AuNCs二氢硫辛酸保护金纳米团簇

　　巯基琥珀酸保护金纳米团簇

　　聚(N-乙烯基咪唑)配体金纳米团簇

　　树枝状聚合物PAMAM修饰金纳米团簇