厚街PPO水口料长期回收

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　高量子产率金纳米团簇(CR-AuNCs)水溶性手性金纳米团簇(L-NIBC-AuNCs和D-NIBC-AuNCs)平均粒径小于2 nm

　　金纳米团簇-NFC复合物siRNA(GNC–siRNA)

　　剥离型环氧树脂/纳米复合材料

　　小粒径四氧化三铁纳米团簇

　　聚丙烯酸(PAA)修饰四氧化三铁纳米团簇(Fe3O4NCs)

　　PEI 在Si O2上的接枝量:3.81 g/100 g;温度:20 ℃;时间:30 min;p H:7PEI/Si O2的 BV 柱:2 m L;温度:20 ℃;初始浓度:100 mg/L;流速:5 BV/h 3.5 动力学吸附曲线 PEI/SiO 2和 IIP-PEI/Si O2对Cr3+的动力学吸附曲线如图7所示。当Cr3+溶液通过PEI/Si O2柱, 渗透出现在2 BV, 渗透吸附量为2.32 mg/g, 饱和吸附量为6.06 mg/g。动力吸附量与静态吸附量相似。当Cr3+溶液通过IIP-PEI/Si O2柱时, 渗透出现在4 BV, 渗透吸附量为5.24 mg/g, 饱和吸附量为9.94 mg/g。很明显, 在离子印迹后, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的亲和力明显增加。

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　　Poly(t-butyl methacrylate-b-2-vinylpyridine)聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚乙烯基吡啶

　　PHEA-b-PNPA

　　Poly(2-hydroxyethyl acrylate-b-neopentylacrylate)

　　聚2-羟乙基丙烯酸酯-b-聚新戊酯

　　PMMA-b-PCL

　　聚氧乙烯-b-聚已内酯

　　PEO-b-PLLA

　　Poly(ethylene oxide-b-Lactide)聚氧乙烯-b-聚乳酸

　　PEO-b-PDLLA

　　Poly(ethylene oxide-b-D,Lactide)

　　聚氧乙烯-b-聚乳酸

　　PEO-PMAA

　　Poly(ethyleneoxide-b-methacrylic acid)